Полевой транзистор с управляющим p-n переходом типа Ме-п.п.(Шоттки).
Толщина канала определяется обедненной областью барьера Шоттки.
Толщина канала : (dо-lоб)
Толщину канала можно менять , как отрицательным напряжением на затворе, так и небольшим положительным (менее 0,5 В) напряжением.
Если канал очень тонкий, то lо превышать dо, даже при отсутствие напряжения на затворе. Чтобы открыть такой канал надо падать небольшое положи- тельное напряжение на затвор . Оно уменьшит толщи- ну обедненного слоя и канал приоткроется. Эти тран- зисторы имеют очень короткий канал. Их изготавлив- ают при относительно низких температурах. Что дает возможность получить резкие границы областей и малые размеры электродов.
Высокая подвижность носителей зарядов способствует увеличению быстродействия.
Всё это позволяет создавать Полевые транзисторы Шоттки с частотой до 30 ГГц.
Схемы включения этих транзисторов аналогичны включению полевых транзисторов.
Схема Общий исток(р-канал) Общий сток (ос) Общий затвор(О.З.)
Билет 8.
Обращенные диоды. Генераторы шума.
Обр.диод – это п/п диод, в котором проводимость при обратном вкл., вследствие туннельного эффекта, значительно выше чем при прямом. В о.д. конц. примесей меньше чем в тун.диодах, но больше чем в обычных. ВАХ такого дида:
О.д. работают в области малых напр.О.д. могут работать в диапазоне сверхвысоих частот.
|
|
|
Генератор шума – п/п диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в опред.диапазоне частот. ВАХ равна ВАХ стабилитрона. В рабочей точке процесс образования лавины неустойчивый, который позволяет получить напр. шума. Осн.параметры: 1)спектр.пл-ть – эффективное значение U. отнесённое к единичному изменению частоты; 2)f – гранич.частота равномерности спектра шума.
Связь h-параметров с физич параметрами биполярного транзистора.
Установим взаимную связь между физическими параметрами и h-параметрами транзистора.
3,4 из общей базы и все кроме h11 и h21 из общего эмиттера для режима х.х.
На высоких частотах трудно сделать опыт х.х. из-за влияния паразитных емкостей поэтому для высокочастотных схем применяют схему замещения в Y-параметрах
Билет 9.
1. Лавинно-пролётные диоды (ЛПД) – п/п диод, работающий в режиме лавинного размножения зарядов при обр. смещении pn-перехода и предназначенныйдля генерации СВЧ сигналов.
В некоторый момент времени напряжение может достичь критического значения когда начинается ударная ионизация и лавинное размножение. Это происходит в узкой области которую можно назвать генерации (δ) . В результате образования носителей заряда через переход начинает протекать ток обусловленный дополнительными носителями. Сдвиг по фазе между током и напряжением определяется инерционными процессами: 1)время для набора энергии носителем достаточной для ионизации
|
|
|
2) носитель заряда набравший энергию необязательно встретится..
Иногда сдвиг фаз между током и напряжением достигает180 градусов => диод обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Особенности: 1) невысокий КПД что обусловлено узким диапазоном напряжений. 2) достаточно высокие шумы.
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 331; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!