Диоды с резким восстановлением обратного сопротивления. Переходнеые процессы, фазы. Парметры.
Диоды с резким восст-ем обр.сопр. – это п/п диоды, в которых этот эффект исп-ся для формирования прямоуг. имп-ов с малыми фронтами нарастания и для умножения частоты.
Рассмотрим переключение диода при работе от генератора напр.:
1-я фаза опред. от момента прохождения токач/з ноль до начала спада, заканчивается в момент, когда нз у границы перехода со стороны базы уменьшается до равновесного состояния. 2-я фаза опред-ся рекомбинацией нз в глубинных обл.базы или их выходом ч/з переход.
Если уменьшить длит-ть 2-ой фазы, то t1 будет близок к прямоуг-му, для этого технологич-м путём формируют встроенное эл.поле путём создания градиенты конц-ции. Это поле способствует уменьшению времени 2-й фазы. Формируются имп-сы с параметрами не достижимыми другими диодами.
Параметры таких диодов: tэф –время, опред-е рекомб. нз в базе; Qпк – заряд переключения, часть накопленного заряда, вытекающего во внеш.цепь при переключ. с прямого U на обр.
Билет 5.
1. Стабилитроны – п/п диоды, напр. на которых в обл. пробоин (при обр. смещении) слабо зависит от тока, и который предназнач. для стабилизации напр. Механизм пробоя:
- туннельный (низковольтный) до 6В; - лавинный (высоковольтные) после 8В; - от 6 до 8В – смешанные.
Темп.коэф. напр. при туннельном (-), при лавинном (+). ВАХ:
Осн.параметры: U стабилизации, определяемое при заданном токе; Uстаб max – max ток стабилизации; Uстаб min – min ток стабилизации, пробой приобретает устойчивый хар-р; RСТАБ=dUСТ/IСТ; 
|
|
|
Стаб.могут исп-ся как имп.обращённые диоды с большим быстродействием, работающий с малыми напр-ми.
Схема включения стаб-нов:
E=(iа+iн)R+UСТ;
Прецезионные стаб-ны создаются на основе группы п/п диодов:
включены для того, чтобы компенсировать 
.
Двуханодные стабилитроны:
стабилизируют знакопеременный сигнал, компенсируют 
.
2.Микроэлектроника.
Основные задачи , особенности:
Создание микро, миниатюрной аппаратуры с высокой надёжностью и высокопроизводимостью, низкой стоимостью, низким электро потреблением и высокой функциональной сложностью.
Интегральные Схемы(ИС):
Микроэлектронное изделие , выполняющие определённую функцию преобразования, передачи, обработки и хранения сигнала, которые с точки зрения требований к испытаниям , приёму, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое ,с высокой плотностью упаковки элементов или компонентов .
Элемент И.С.- часть И.С., реализирующая функцию какого-либо электро-радио элемента (транзистор, диод и т.д.), который нельзя отделитьот кристалла и который нельзя рассматривать как самостоятельное изделие.
Компонент- часть И.С. реализующая функцию какого электро-радио элемента , который может быть выделен как самостоятельное изделие . Могут быть простые (диоды, резисторы , конденсаторы ) и сложные (диодные сборки и т.д.).
|
|
|
Критерий сложности И.С.характеризуется степенью интеграции К=lgN, где N-количество элементов, К-целое число.
К<=2 –интегральные схемы (И.С.)
2<K<=3 средние интегральные схемы (С.И.С)
3<K<=5 большие интегральные схемы (Б.И.С)
K>5 Сверх большие интегральные схемы (С.Б.И.С)
K>6Ультрабольшие интегральные схемы (У.Б.И.С.)
Важным свойством И.С. является плотность упаковки это количество элементов на единицу площади.
По функциональному значению И.С. делятся на : 1)Цифровые 2) Аналоговые.
По типу применяемых активных элементов на И.С.:
На биполярных структурах и на МОП структурах, и на БИМОП структурах.
По конструктивно технологическому признаку :
Полупроводниковые И.С , Пленочные И.С., Гибридные И.С., Совмещенные И.С.
Полупроводниковые И.С.
Все элементы (транзисторы, диоды, резисторы) и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности монокристаллов (активная подложка)
Пленочные И.С.:
все элементы выполнены в виде пленок нанесенных на поверхность диэлектрической подложки (пассивная подложка). По плёночной технологии изготавливают только пассивные И.С. В зависимости от толщины пленки различают : тонкопленочные и толстопленочные И.С.
|
|
|
Билет 6.
1. Варикапы – п/п диоды, предназнач. для исп. в качестве электрически упр. ёмкости. Принцип действия основан на зав-ти ёмкости перех. от прилож. напр. Работают при обр. смещении, т.е. исп. барьерная ёмкость. Ёмкость варикапа:
m зависит от технологии изготовления.
Чтобы зависимость была более резкой применяют метод обратной конц.:
Чем больше конц., тем меньше пробивное напр. и меньше потери. Чтобы их развязать добавляют структуру n+.
Параметры варикапа: ёмкость, опред-мая при заданном Uобр; коэф.перекрытия KC=CBmax/CBmin; добротность Q=xC/r, r – сопр.потерь; темп-ный коэф. ёмкости 
Пример:
Генератор шума – п/п диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в опред.диапазоне частот. ВАХ равна ВАХ стабилитрона. В рабочей точке процесс образования лавины неустойчивый, который позволяет получить напр. шума. Осн.параметры: 1)спектр.пл-ть – эффективное значение U. отнесённое к единичному изменению частоты; 2)f – гранич.частота равномерности спектра шума.
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 385; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!