Особенности аналоговых и цифровых интегральных схем.
Аналоговой интегральной схемой называется схема, в которой приём, преобразование и выдача сигналов осуществляется посредством непрерывного изменения тока или напряжения.
Выходной сигнал на любом из элементов аналоговой интегральной схемы является непрерывной функцией входного(усилители, генераторы).
Цифровая интегральная схема-применяется, преобразование и выдача информации, представляется в виде цифрового кода осуществляется посредством дискретных сигналов(ключи, тригеры).
Сравним аналоговые и цифровые интегральные схемы.
Рассмотрим передаточные характеристики аналоговых и цифровых интегральных схем.
Аналоговые и цифровые интегральные схемы бывают инвертирующими(1) и неинвертирующими(2). Инвертирующие: малому входному-большое выходное напряжение. Большинство аналоговых и цифровых интегральных схем являются инвертирующими.
Рассмотрим ключевые схемы.
Они характеризуются 2-я состояниями: 1)на входе большое U(закрытое).
2)на выходе малое U(открытое).
Как себя ведёт передаточная функция между этими точками для ключевых схем не имеет значения, т.е. цифровые интегральные схемы малочувствительны к разбросу параметров, температурному дрейфу, и собственным шумам и внешним электромагнитным наводкам
В аналоговых интегральных схемах зависимость между выходным и входным сигналом: Uвых=f(Uвх). f-существует и определена в каждой точке. Аналоговые интегральные схемы чувствительны к разбросу параметров, и температурному дрейфу, шумам и наводкам.
|
|
|
Основы аналоговых интегральных схем.
Особенности:
1.они должны быть универсальны и многофункциональны.
2.следствием многофункциональности является функциональная избвточность, которая используется для улучшения характеристик.
3.широкое использование транзисторных структур, не только в качестве активных, но и в качестве пассивных элементов.
4.широкое использование обратных связей для коррекции характеристик и выполнения математических операций.
5.в аналоговых интегральных схемах используется каскады с непосредственной связью, в них отсутствуют ёмкостные каскады и ёмкостные связи. Поскольку конденсаторы ухудшают характеристики(особенно в области низких частот) и усложняют технологический процесс, отказ от конденсаторов требует применения специальных мер по согласованию потенциальных уровней различных каскодов.
Билет 7.
1. Туннельные диоды – п/п диод на основе вырожденного п/п, в котором тун.эф. приводит к появлению участка с отриц.диф. проводимостью на его основе ВАХ.
В отличии от обычных исп-ют проводники с очень высокой конц.примесей. Осн.параметры помимо других: IП – пиковый ток, max ток при dI/dt=0; IВ – ток впадины, max ток; отношение IП/IВ; напр. раствора Up>UB при I=IП; СУД=СД/IП.
|
|
|
Обозначается:
Эквивалентная схема:
Подразделяются на: 1)переключательные max IП/IB; 2)генераторные P=0,12(UB-Up) (IП- IВ); 3) усилительные max[Ky- ∆f]. Тун.диоды работают в диап-не высоких и сверхвысоких частот.
Обр.диод – это п/п диод, в котором проводимость при обратном вкл., вследствие туннельного эффекта, значительно выше чем при прямом. В о.д. конц. примесей меньше чем в тун.диодах, но больше чем в обычных. ВАХ такого диода:
О.д. работают в области малых напр.О.д. могут работать в диапазоне сверхвысоких частот.
Полевые транзисторы.
Это п.п приборы управление токов в которых осуществляется изменением проводимости токопроводящего канала при воздействии на канал поперечного электрич. Поля. Рабочий ток в полевых транзисторах создается основными носителями только одного знака, поэтому такие транзисторы называются униполярными. Ток в канале создается в результате дрейфового движения основных носителей заряда, вызванного продольным электрич полем. Электрод от которого уходят носители в канал называется истоком. А электрод который принимаетносители-стоком. Исток и сток имеют один и тот же вид электро проводности. Управляющее (поперечное) эл поле создается с помощью электрода называемого затвором. Существуют следующие разновидности:
|
|
|
1)с изолированным затвором 2)с затвором на основе эл перехода(с управляющим переходом.
1)Металлич. затвор изолирован от канала тонким слоем диэлектрика поэтому транзисторвы называются МДП-транзисторами
Они делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индуцированным каналом.
а)встроенный канал образуется технологическим путем.
б) индуцированный канал появляется(индуцируется) при подаче на затвор напряжения определенной полярности и величины.
2)с управляющим переходом делятся на транзисторы с p-n переходом и с переходом Ме-п.п.
Полевые транзисторы с управляющим переходом с n-каналом и p-каналом
со встроенным каналом с индуцированным каналом
В МДП-транзисторах со встроенным каналом и в полевых транзисторах с управляющим переходом канал присутствует всегда. Эти транзисторы называют транзисторами обедненного типа. Полевой транзистор с индуцированным каналом-транзистор обогащенного типа. Канал появляется когда область обогащается носителями заряда.
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 321; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!