Транзистор с индуцируемым каналом.
При подаче отрицательного напряжения на затвор относительно истока дырки начинают скапливаться в затворе из областей истока стока и подложки. При увеличении этого напряжения количество дырок увеличивается и при некотором значении напряжения называемым пороговым количество дырок увеличивается настолько, что образует канал p-типа. Если приложить между истоком и стоком напряжение, то через канал потечет ток. У транзисторов с изолированным затвором Rвх на три порядка выше. Пробивное напряжение составляет 50- 60 В. Такие транзисторы могут пробиться от статического электричества.
Тиристоры
Тиристором называется полупроводниковый прибор с тремя или более p-n переходами, вольтамперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения.
Классификация:
Как диодный так и триодный тиристоры имеют четырехслойную структуру. Питающее напряжение подается таким образом, что переходы П1 и П3 открыты, а П2 закрыт. В этом случае все питающее напряжение приложено к закрытому переходу. При повышении Uпр ток тиристора увеличивается незначительно, пока Uпр не приблизится к некоторому значению Uвкл. После этого наступает лавинообразный процесс и тиристор открывается. Напряжение Uвкл может быть снижено введением неосновных носителей заряда в любой слой прилегающий к переходу П2. Добавочные носители вводятся у триодного тиристора в слой р2 вспомогательной цепью питания Uу. Для этого у тиристора имеется третий электрод 2. В какой мере снижается пробивное напряжение видно из семейства вольтамперных характеристик тиристора. Меняя ток управляющего электрода можно изменить напряжение включения тиристора. В симметричных диодных и триодных тиристорах обратная ветвь характеристики совпадает с прямой. Это достигается встречно -параллельным включением двух одинаковых четырехслойных структур.
|
|
|
Свето и фотоэлектрические полупроводниковые приборы
Светодиод
Принцип действия основан на излучении квантов света при рекомбинации носителей зарядов в области pn перехода, к которому приложено прямое напряжение. Цвет излучения определяется материалом из которого изготовлен светодиод. (красные, желтые, зеленые). На базе светодиодов разработаны матричные индикаторы (36 точечных элементов 5 колонок и 7 рядов и одна точка в 7 ряду). - АЛС340А. Они обладают большими возможностями, чем сегментные индикаторы. Кроме светодиодов или световых индикаторов используются жидкокристаллические индикаторы. Они не излучают свет, а преломляют его. Для их использования необходим внешний свет.
|
|
|
Фоторезистор
Принцип действия основан на изменении электрической проводимости под воздействием оптического излучения. Основная характеристика - зависимость фототока резистора Iф от потока излучения Ф выраженного в люменах.
Фотодиод.
- полупроводниковые приборы с внутренним фотоэффектом, имеющим один электронно - дырочный переход и два вывода. В неосвещенном состоянии в/а характеристика совпадает с характеристикой обычного диода, при освещении существенно изменяется лишь обратная ветвь. Если замкнуть фотодиод на резистор, он будет работать в режиме фотогенератора. Если подать на фотодиод обратное напряжение он будет работать в режиме фотопреобразователя.
Фототранзистор.
Фототранзистор изготовляют как обычный транзистор но лишь с двумя выводами. Если управление обычным транзистором происходит за счет изменения тока базы, то управление фототранзистором происходит за счет изменения освещенности базы. Чувствительность фототранзисторов значительно выше чувствительности фотодиода и составляет 0.5-1 А/лм.
Оптроны.
Оптронами называются приборы, преобразующие электрические сигналы в оптические и передающие эти сигналы индикаторам или фотоэлектрическим преобразователям. К основным типам оптронов относят: фоторезисторные, фототранзисторные фотодиодные и фототиристорные оптроны. Используются для гальванического разделения сигналов.
|
|
|
Микросхемы
Микросхема - микроэлектронное изделие, содержащее активные (транзисторы, диоды) и пассивные (резисторы, конденсаторы, дроссели) элементы, образующие законченную электронную схему выполненную во время единого технологического процесса и заключенную в общий корпус. Функциональная сложность определяется основными параметрами микросхем - плотностью упаковки и степенью интеграции. Плотность упаковки характеризуется количеством транзисторов на 13 см объема. Их число может изменяться от нескольких элементов до нескольких десятков тысяч элементов. Степень интеграции - количество элементов, входящих в состав микросхемы. 1 степень до 10 2 степень 10-100 3 степень 100-1000 и т.д. Современные микросхемы могут достигать 105 э/см3 и достигать шестой степени интеграции.
Существует два больших класса микросхем цифровые микросхемы и аналоговые микросхемы.
Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 584; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!