Вольтамперные характеристики биполярных транзисторов.
Вольтамперные характеристики делятся на две группы.
1.Входные Iвх=f(Uвх) при Uвых=0 или Iб=f(Uбэ) при Uкэ=Const
2.Выходные Iвых=f(Uвых) при Iвх=0 или Iк=f(Uкэ) при Iб=Const
Для расчетов цепей с транзисторами пользуются схемами замещения транзисторов. В основном нашли применение Т-образные и П-образные схемы.
Рассмотрим Т-образную схему:
При этом рассматриваются следующие параметры транзистора:
1.Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода: 
при Uкб=Const (единицы - десятки Ом)
2.Оммическое сопротивление базы rб=100-400 Ом
3.Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода: 
при iэ =Const (0.1-0.5 МОм)
4.Емкость коллекторного перехода Ск (10-100 пФ)
5.Дифференциальный коэффициент передачи базового тока 
Частоту на которой коэффициент базового тока становится равным 1 и усилительные свойства транзистора не проявляются называется граничной частотой передачи тока базы fгр. Рассмотренные параметры называются внутренними параметрами транзистора Они не зависят от схемы включения транзистора, но чтобы их получить нужно правильно составить схему замещения, которая в свою очередь зависит от схемы включения.
H-параметры биполярных транзисторов
Еще один способ расчета и анализа схем на биполярных транзисторах основан на использовании так называемых h-параметров транзистора включенного по схеме с общим эмиттером. Для этого рассмотрим транзистор как четырехполюсник.
|
|
|
Связь между входными и выходными параметрами четырехполюсника выражается в виде системы уравнений. Если за независимые принять токи четырехполюсника, а напряжения считать зависимыми:
U1=f(I1,I2)
U2=f(I1,I2)
то имеем систему r параметров холостого хода ХХ.
Если поступить наоборот:
I1=f(U1,U2)
I2=f(U1,U2)
то имеем систему g параметров или параметров короткого замыкания. В промышленной электронике пользуются системой h -параметров в которой за независимые величины принимают выходное напряжение U2 и входной ток I1.
U1=f(I1,U2)
I2=f(I1,U2)
Дифференцируя величины U1 и I2 по I1 и U2 получим уравнения:
(1)
D-частная производная Введем обозначения:
- входное сопротивление транзистора для переменной составляющей тока.
- коэффициент обратной связи по переменной составляющей напряжения.
- коэффициент передачи переменной составляющей тока
- выходная проводимость транзистора для переменной составляющей тока.
Подставив полученные выражения в формулу 1 и заменив дифференциалы токов и напряжений через приращения получим:
U1=h11*I1+h12*U2
I2=h21*I1+h22+U2 (2)
На основании уравнения 2 можно составить эквивалентные схемы замещения транзистора (П-образные схемы)
|
|
|
Схема генератора напряжения или режима короткого замыкания эквивалентна большой емкости на выходе транзистора. Рис 1. Схема генератора тока или режима холостого хода эквивалентна большой индуктивности на входе транзистора. Уравнение 2 можно переписать в виде
где U и I соответствующие малые приращения напряжений и токов транзистора. Отсюда:
при Uкэ=Const
при Iб=Const
при Uкэ=Const
при Iб=Const
Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 1116; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!