Розрахунок дійсної похибки базування

 

При розрахунку дійсного значення поля розсіювання похибок базування виходять із допусків тих розмірів від яких залежить вихідна база при даній схемі базування, тобто дійсна похибка базування рівна полю допуску на номінальний розмір заготовки, якщо вихідна база паралельна напрямку контролюючого розміру.

 

Е_{бдійсне.}=Т_н.р.

 

Поверхні по яким базуються заготовки мають: плоску, циліндричну рідко конічну форму. Або заготовка може базуватися на декілька поверхонь.

 

Розглянемо установки заготовки на різні поверхні

1. Установка на площину.

ПЕРШИЙ ПРИКЛАД:

 

 

Заготовка базується на площині, потрібно витримати розмір 30_-15

середня точністьΔ=0,1мм (по 10 квалітету)

           тоді[ε_б]=Т-Δ =0,15-0,1=0,05мм

 

 

Розмір 30_{-0,15 ,} що витримується, зв’язаний з поверхнею М, яка є вихідною базою. Ця база не піднімається і не опускається в процесі обробки, вона опирається на нерухому поверхню (на стіл верстата, або пристосування), тому висота розміру 30_-0,15 буде незмінною, тобто ε_{б дійсне}=0.

 

Значить заданий розмір можна витримати і виготовитидеталь.

 

ДРУГИЙ ПРИКЛАД

 

 

При тих же самих умовах обробки, що в першому прикладі, нам потрібно витримати розмір 20^+0,15, який зв’язаний з верхньою поверхнею N, яка є вихідною базою. При цій схемі базування положення вихідної бази залежить від розміру 50^-0,2

                       ε_{б дійсн}=Т₅₀=0,2,

так як допуск по розміру не змінився і [ε_б]= 0,05мм, тоді, очевидно, що дійсне значення поля розсіювання погрішності базування більше допустимого ε_{б дійсне}[ε_б] – вийде брак

 

Що потрібно зробити?

 

1. Збільшити допуск по розміру 20.

2. Зменшити допуск по розміру 50.

3. Або змінити схему базування, щоб ε_{б дійсне}=0.

4. Вихідну базу притиснути до нерухомої опори.

1 клин

2 нерухомий упор

 

Змінена схема базування

 

2 Установка на призму

       ПЕРШИЙ ПРИКЛАД

Деталь встановлена на призму по зовнішній циліндричній поверхні, де в деталі потрібно профрезувати паз.

Потрібно витримати розмірh

 

 

Становище вихідної бази центраС по відношенню до призми (технологічна база – точка О) обумовлюється вектором ОС.

Проектуючи цей вектор на напрямок розміру h, який потрібно витримати, отримуємо

L=MC=OC·cosγ

Із трикутника ОСК знаходимо

ОС= ,

де α – кут призми, d – діаметр заготовки.

тоді                      L=

диференціал повний

Δh=-ΔL=

а поле розсіювання похибки базування

ε_{б дійсне =}

де Т_d – допуск по діаметру

Із схеми видно, що ε_{б дійсне} при куті призми α залежить від кута γ, тоді

 

 якщо γ=0ε_{б дійсне}=

при γ=45º, α=90º    ε_{б дійсне}=

При такому розташуванні, приγ=90º - ε_{б дійсне}=0

При γ=0ºε_{б дійсне}

 

При встановленні в самоцентруючи пристосування (трьохкулачковий патрон, самоцентруючи лещата тощо) центр всіх заготовок, незалежно від діаметра буде займати незмінне положення, тому ε_{б дійсне}=0

 

ДРУГИЙ ПРИКЛАД

 

 

Потрібно витримати розмір m

 

Із Δ ОСМмаємо

 

СМ=

радіус СА=

тоді

L=

 

 

повний диференціал

ΔL=

       а поле розсіюванняε_{б дійсне =}

 

якщо cosγ=sin , при α=90º, γ=45º     ε_{б дійсне}=0

при γ=0, α=180º (при установці на площину)ε_{б дійсне}=0

 

ТРЕТІЙ ПРИКЛАД

Потрібно витримати розмір n

 

Положеннявихідної бази - точкиВ – відносно призми обумовлюється векторомОВ.Проектуючи по напрямку  розміруn , що витримується,

отримаємо

L= =

 

тоді повний диференціал

                              ΔL=

 

а поле розсіювання, відповідне дійсній похибці базування

ε_{б дійсне}

при γ=0

ε_{б дійсне}=

приγ=0, α=180ºε_{б дійсне}= Т_d

 

 

 

Похибки при свердлуванні.

 

Потрібно в шайбі (рисунок а) просвердлити отвір і витримати розмір m з відповідним допуском.

Порівняємо за допомогою виведених залежностей дві схеми кондукторів, схематично показаних на рисунках б і в.

а)

Перша схема (б)

 

Схема кондуктора на рисунку б аналогічна схемі, приведеній для розміру m вище (як для фрезерування) при γ= 0°.

Тому

 

Друга схема (в)

Схема кондуктора на рисунку в аналогічна схемі, приведеній вище для розміру n (як для фрезерування),

отже

 

 

відношення

 

 

при α=90º

 

 

 

Таким чином, неістотна, на перший погляд різниця в схемах конструкцій кондукторів веде до збільшення значення ε_{б дійсне} при другій схемі в порівнянні з першою в 6 раз.

 

Контрольні запитання

 

1 Способи встановлення заготовок

2 Правило шести точок

3 Поняття про бази

4 Класифікація

5 Похибки базування

6 Поняття про базування бази

 

 

Заняття № 7-8(4 години)

---

Дата добавления: 2018-05-09; просмотров: 429; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

---

---

Мы поможем в написании ваших работ!