В линейных усилительных схемах рабочие режимы транзисторов соответствует пологим участкам стоковых характеристик.
Полевые транзисторы более устойчивы к воздействию ионизирующих излучений, так как их параметры не зависят от времени жизни не основных носителей заряда, как и в биполярных транзисторах. МДП-транзисторы хорошо работают и при очень низкой температуре, вплоть до температуры жидкого азота (-197С).
МДП-транзисторы характеризуются низким уровнем шумов, так как в них практически отсутствуют составляющие шума, связанные с генерацией и рекомбинацией не основных носителей.
МДП-транзисторы характеризуются высоким входным сопротивлением независимо от величины и полярности входного напряжения на затворе.
В подложке из кремния n – типа с удельным сопротивлением (1-10)×10-2 Ом*см создаются две области p+ - типа, одна из которых является истоком, другая – стоком. Обе области расположены на близком расстоянии друг от друга (5-50 мкм).
Условие передачи энергии от активной среды электромагнитному полю. Понятие отрицательной температуры квантового перехода
Examination card 6
Модель Эберса-Молла биполярного транзистора.
На обоих переходах действует прямое напряжение – это режим двойной инжекции. Токи инжектируемых носителей I1 I2. токи собир. носителей αN I1 αI I2
αN αI – коэфициэнты передачи тока соответственно при нормальном и инверсном включении.
В какой пропорции изменяются параметры и режимы работы МДП транзисторов в ИМС при их масштабировании.
|
|
|
Одним из важнейших направлений в конструировании ИМС является использование метода пропорциональной миниатюризации МДП-транзисторов. Метод пропорциональной миниатюризации (масштабирования) МДП-транзисторов заключается в таком изменении основных геометрических размеров их конструкции, а также электрофизических и электрических параметров, при котором сохраняется форма их стоковых характеристик. Этот метод удобен тем, что позволяет при уменьшении размеров устройства (схемы) сохранить неизменными взаимное положение всех элементов и внутрисхемных соединений.
Основные параметры конструкции транзистора, изменяемые при масштабировании.
L – длина канала (по затвору)
xj – глубина истокового и стокового переходов
yj – толщина перекрытия затвор-сток (затвор-исток)
dд – толщина подзатворного диэлектрика
Na – концентрация примесей в подложке
, где L1 – длина канала по затвору. L2 – длина канала масштабирования
Метод масштабирования заключается в таком изменении его параметров и Uпит, при котором форма его ВАХ сохраняется, изменяется лишь масштаб по осям. При этом схемы на уменьшенных транзисторах можно копировать с предыдущих разработок.
|
|
|
Масштабирование можно применять при условии длинного канала.
L >> Lобл с + Lобл и (короткий канал L ~ Lобл с + Lобл и, применять нельзя)
| Параметр | Закон изменения |
| Горизонтальные размеры: L, a, Lоб и, Lоб с | 
|
| Вертикальные размеры: d, xи, xc | 
|
| Nап, Nак | 
|
| Uист |
|
| Это приводит I, U |
|
| Cуд |
|
| Cполн = Cуд · S |
|
| Потребляемая P ~ U · I | 
|
Pуд = 
| 1 |
tз = 
| 
|
| Работа переключения цифровых схем A = P · tз | 
|
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 357; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!