Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе.
Examination card 1
Определение частот колебаний в различных режимах работы генератора Ганна.
Путь проделанный доменом от места его зарождения до анода, определяет период колебаний. Если домены зарождаются на различных неоднородностях , то колебания несут шумовой характер.
Генераторы Ганна применяются для частот более 1ГГц, что соответствует длине кристалла l≤100мкм
с ограничением накопления объемного заряда. Если, кроме постоянного смещения, большого Eпорl, к прибору приложено такое синусоидальное напряжение достаточно большой амплитуды, часть периода напряжение на приборе будет меньше порогового напряжения Епорl.
Пока мгновенное значение на приборе U>Епорl у катода формируется домен.
Если поместить генератор Ганна в резонатор, настроенный на достаточно большую частоту, то домен не успев формироваться, начнет рассасываться
+: независимость частоты генерации колебаний от толщины кристалла
Варианты диодного включения биполярных транзисторов.
Пробивное напряжение Uпроб, зависит от используемого перехода, меньше в вариантах, в которых используется эмиттерный переход.(БЭ-К, Б-К если коллекторный переход, большое сопротивление слоев, высокое Uпроб).
Обратные токи Iобр (без учета токов утечки) – это токи термогенерации в переходах, обратные токи, если используемый эмиттерный переход( имеющий наименьшую площадь, уже переход, т.к. более концентрированный).
|
|
|
Емкость диода Cд, зависит, как включены оба перехода последовательно или параллельно, т.е. от площади используемых переходов. Максимально Cд для варианта Б-КЭ. Если используется один переход Cд меньше (БК-Э).
Паразитная емкость на подложке C0 – шунтирует на «землю» анод или катод диода, подложка заземлена, C0=Cкп, у варианта (Б-Э) Cкп и Cк включены последовательно.
Время восстановления обратного тока tв – т.е., время переключения диода из открытого состояния в закрытое. Минимальное tв для варианта БК-Э, т.к. в этом случае заряд накапливается только в базовом слое (коллекторный переход закорочен). Для других вариантов заряд накапливается в базе и коллекторе.
Прямое напряжение Uпр, мало отличается, минимально для БК-Э.
Наиболее пригодно включение БК-Э(чаще) и Б-Э (малое прямое напряжение, малое время восстановления обратного тока).
Пробивное напряжение меньше в тех вариантах, в которых используется эмиттер.
Обратные токи (без токов утечки) – это токи термогенерации в переходах, зависят от объема перехода и, следовательно, меньше у тех вариантов у которых используются только эмиттерный переход, имеющий наименьшую площадь.
Емкость диода (между анодом и катодом) зависит от площади используемых переходов, поэтому она максимально при параллельном соединении (вариант Б-ЭК).
|
|
|
Паразитная емкость на подложку (заземлена) шунтирует на «землю» анод и катод диода C0=Cкп (n-p-n транзистор).
В варианте Б-Э емкости Cкп и C0 включены последовательно, следовательно C0 – минимальна.
Энергетическая диаграмма гелий-неонового лазера. Свойства его оптического излучения.
Возбуждение газообразных активных сред достигается при соударениях молекул газа с электронами или возбуждёнными молекулами другого газа.
Разряд в смеси 2-х газов: А – основной газ, В – вспомогательный Инверсия создаётся при энергетических переходах основного газа. Примесный газ служит для передачи возбуждений. Примесные и основные газы должны обладать определённой структурой энергетических уровней. Чтобы был возможен обмен энергией, необходимо, чтобы возбуждённые энергетические уровни гелия и неона мало отличались друг от друга, не более чем на величину энергии теплового движения молекул 
. Роль первичного возбуждения квантовой системы выполняют электроны, возникающие в результате газового разряда.
Электроны возбуждают молекулы основного и примесного газов и в результате происходит заселение уровней 2 и 3 газа А и уровня 3 газа В. Затем энергия распределения частиц изменяется вследствие взаимодействия молекул газовой смеси.
|
|
|
Для получения непрерывной генерации в каком-либо переходе необходимо, чтобы время жизни атома в верхнем энергетическом состоянии было больше, чем в нижнем.
Каждый из уровней 2S, 2P, 3S, 3P имеет сложную структуру и состоит из нескольких подуровней (2S – 4 подуровня, 2Р – 10). В принципе, генерация возможна между отдельными подуровнями. Наиболее активные указаны выше.
Examination card 2
Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе.
В эмиттерном переходе происходит инжекция носителей в базу, в коллекторном переходе происходит экстракция носителей из базы. Основные характеристики транзистора определяются процессами в базе.
Возникновение электрического поля в базе связано с градиентом концентрации примесей.
Поле способствует движению не основных носителей от Э к К, если концентрации некомпенсированных примесей в базе уменьшается по направлению от Э к К.
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 639; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!