Зависимость выходной проводимости hoe(Ic) от тока коллектора (Output Admittance)
Схема для получения следующей зависимости приведена на рис. 2.6.
Рис. 2.6 Схема измерения выходной проводимости в зависимости от тока коллектора hoe(Ic) (Output Admittance)
Для установки напряжения 10 В на коллекторе применяется источник V1. Варьируя напряжение V1 до 11 В следует определить, как измениться при этом ток коллектора (индикатор U1).
Для установки (10 мА) и изменения тока коллектора необходимо изменить ток базы источником I1. Следует отметить, что транзистор должен находиться в линейном режиме, т.е. напряжение коллектор-эмиттер лучше установить равным половине источника питания.
2.3.2 Зависимость граничной частоты передачи тока fT(Ic) от тока коллектора (Current-gain bandwidth) и коэффициента усиления переменного тока h21Э
Схема измерения коэффициента усиления переменного тока h21Э приведена на рис. 2.7.
Рис. 2.6 Схема измерения коэффициента усиления переменного тока h21Э
где DIК – оценка переменного тока коллектора;
DIБ – оценка переменного тока базы.
Граничная частота передачи тока определяется единичным коэффициентом усиления транзистора по переменному току h21Э.
Отсюда решение – изменять частоту источника V1 пока не будет достигнут коэффициент h21Э= 1.
Перед изменением следует установить напряжение на коллекторе половина от источника питания. Затем, нужно перевести амперметры в цепи базы и коллектора для измерения переменного тока (AC).
|
|
|
Зависимость времени рассасывания заряда ts(Ic) от тока коллектора (Storage Time)
Для получения данной зависимости транзистор встраивается в схему, приведенную на рис. 2.8.
Далее, в режиме Transient получают временную диаграмму напряжения на коллекторе начиная с момента 1e-5. Время рассасывания мало, поэтому следует уменьшить вручную Maximum Time Step до 1e-9 c и подобрать время моделирования до появления на коллекторе потенциала источника питания (приблизительно 200 нс, т.е. от 1e-5 до 1.02e-5).
Время рассасывания измеряется (Рис. 2.9) от момента переключения ключа S1 и до момента достижения напряжения на коллекторе 0.3 от напряжения питания (т. е. когда транзистор начинает закрываться).
Рис. 2.8 Схема измерения зависимости времени рассасывания заряда от тока коллектора ts(Ic) (Storage Time)
|
Рис. 2.9 Измерение времени рассасывания
Зависимость барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (C-B Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (E-B Capacitance)
Схема измерения приведена на рисунке 2.10. Принцип ее действия состоит в последовательном измерении сопротивления конденсатора С1 и перехода транзистора по переменному току. Для этого нагрузочный резистор R3 по очереди подключается к конденсатору, затем к транзистору с помощью переключателя. Осциллограф фиксирует амплитуду колебаний переменного тока проходящих через конденсатор или транзистор. Когда амплитуда колебаний при переключении будет одинакова, емкости конденсатора и перехода транзистора будут равны.
|
|
|
Рис. 2.10. Схема измерения зависимости барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (C-B Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (E-B Capacitance)
Таким образом, необходимо подбирать емкость конденсатора, выравнивая амплитуды колебаний. Емкость конденсатора в этом случае – индикатор емкости перехода. Для удобства измерения конденсатор выбран переменной емкости, а переключение происходит автоматически от источника прямоугольных импульсов.
Напряжение на переходе транзистора устанавливается источником V1, но оно делится делителем R1R2 и поэтому лучше пользоваться индикатором U2. Меняя напряжение U2 получают отдельные точки зависимости Cobo(Vcb). Для получения зависимости Cibo(Veb) коллектор и эмиттер транзистора нужно поменять местами.
Дата добавления: 2018-08-06; просмотров: 585; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!