Температурные зависимости парметров ПТ. Инерционные свойства.
При повышении температуры у полевых транзисторов:
- возрастает обратный ток управляющего p-n перехода, вследствие чего снижается входное сопротивление rвх;
- уменьшается ширина управляющего p-n перехода, поэтому возрастает ширина канала и увеличивается ток стока;
- снижается подвижность носителей зарядов, что уменьшает ток стока.
Два последних явления могут компенсировать друг друга, и в некоторой точке сток - затворной характеристики ток стока практически не будет зависеть от температуры (термостабильная рабочая точка).
Инерционные свойства транзистора. При быстрых изменениях входного сигнала, например 
, проявляются инерционные свойства транзистора. Они обусловлены конечным временем "пролета" носителей заряда через область базы, временем, необходимым на перезарядку емкостей эмиттерного и коллекторного переходов и на установление необходимых концентраций носителей зарядов. В итоге выходной сигнал (ток ) будет иметь искаженную форму.
В большинстве случаев считают, что в операторном виде изменение сигнала происходит в соответствии с выражением
, (1.25)
где 
– статическое значение коэффициента передачи эмиттерного тока.
Постоянная времени 
, здесь 
– предельная частота, на которой коэффициент 
становится равным 0,7 своего статического значения (уменьшается на 3 дБ).
При необходимости учесть время задержки, выражение (1.25) несколько усложняют, вводя в числитель функцию 
:
|
|
|
. (1.26)
Иногда применяют другое приближение, которое является более сложным и менее удобным, но позволяет точнее аппроксимировать передаточную характеристику :
, (1.27)
где 
.
Инерционные свойства транзистора, характеризуемые изменением коэффициента 
, находят путем подстановки в выражение 
изображения 
. После преобразований
, (1.28)
где 
; 
– коэффициент передачи базового тока в области низких частот; 
– предельная частота при включении транзистора по схеме с ОЭ.
МДП-транзисторы со встроенным каналом.
Устройство МДП-транзистора (MOSFET) со встроенным каналом.
Физическое устройство МДП-транзистора со встроенным каналом отличается от типа с индуцированным каналом наличием между стоком и истоком проводящего канала.
Работа МДП-транзистора (MOSFET) со встроенным каналом N-типа.
Подключим к транзистору напряжение между стоком и истоком Uси любой полярности. Оставим затвор отключенным (Uзи = 0). В результате через канал пойдет ток Iси, представляющий собой поток электронов.
Далее, подключим к затвору отрицательное напряжение относительно истока. В канале возникнет поперечное электрическое поле, которое начнет выталкивать электроны из зоны канала в сторону подложки. Количество электронов в канале уменьшиться, его сопротивление увеличится, и ток Iси уменьшиться. При повышении отрицательного напряжения на затворе, уменьшается сила тока. Такое состояние работы транзистора называется режимом обеднения.
|
|
|
Если подключить к затвору положительное напряжение, возникшее электрическое поле будет притягивать электроны из областей стока, истока и подложки. Канал расшириться, его проводимость повыситься, и ток Iси увеличиться. Транзистор войдет в режим обогащения.
Как мы видим, МДП-транзистор со встроенным каналом способен работать в двух режимах - в режиме обеднения и в режиме обогащения.
Дата добавления: 2018-05-13; просмотров: 580; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!