Реальные выходные ВАХ транзистора,включенного по схеме с общей базой
Понятие твердотельной электроники.
Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Трансляционная симметрия
Кристаллографическая система координат. Индексы Миллера.
Типы связей в кристаллах. Молекулярные, ионные, атомные, металлические кристаллы.
Классификация п/п. Виды п/п. Процессы термогенерации и рекомб. Фононы.
Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Равновесные носители заряда.
Квазиимпульс и эффективные массы носителей заряда.
Собственные и примесные полупроводники. Донорная примесь, зонная диаграмма. Энергия ионизации доноров. Основные и неосновные носители. Неравновесные носители.
Акцепторная примесь, зонная структура. Энергия ионизации акцепторов. Эффективная концентрация носителей заряда. Принцип электрической квазинейтральности полупроводника
Механизмы рекомбинации. Типы ловушек и их энергетические уровни. Излучательная рекомбинация. Механизмы безизлучательной рекомбинации.
Законы распределения равновесных носителей заряда в энергетических зонах. Распределение Ферми-Дирака для электронов и дырок.
Концентрация электронов в зоне проводимости. Концентрация дырок в валентной зоне. Собственная концентрация носителей заряда.
Уровень Ферми. Расположение уровня Ферми в собственных и примесных полупроводниках. Понятие химического и электрохимического потенциала.
|
|
|
Температурные зависимости концентрации носителей заряда и уровня Ферми.
Дрейфовое движение носителей заряда. Подвижность носителей заряда. Удельная проводимость. Диффузионное движение носителей заряда.
Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной проводимости.
Виды электрических переходов. Работа выхода и энергия электронного сродства
Классификация р-н-переходов. Структура электронно-дырочного перехода. Область пространственного заряда. Эмиттер и база в р-н-переходе.
Зонная структура р-н-перехода, потенциальный барьер.
Анализ электронно-дырочного перехода в неравновесном состоянии. Вывод уравнений для потенциального барьера. Ширина обедненного слоя.
Прямое и обратное включение p-n перехода. Зонная диаграмма при прямом смещении.
Анализ электронно дырочного перехода в неравновесном состоянии. Инжекция НЗ в переходе. Коэффициент и уровень инжекции.
Математическая модель идеализированного p-n перехода. Решение уравнения диффузии
|
|
|
25. Плотность диффузионного тока: ВАХ p-n перехода:
Тепловой ток
ВАХ реального электронно-дырочного перехода
Обратная ветвь ВАХ реального перехода
Туннельный эффект в p-n переходе. Энергетические диаграммы в равновесном состоянии и при обратном смещении.
Энергетические диаграммы туннелього эффекта при прямом смещении. И ВАХ
Явление Христа народу. Явление ударной ионизации. Лавинный пробой p-n перехода.
Температурный коэффициент напряжения туннельного пробоя.Температурный коэффициент
Напряжения лавинного пробоя. Тепловой пробой.
Инерционные свойства p-n перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
Диф емкость.
Переходные процессы.
Этап восстановления обратного сопротивления переход
Полупроводниковые диоды. Выпрямительные низкочастотные диоды
Импульсные диоды, параметры, диоды с резким восстановлением обратного сопротивления.
Биполярный транзистор, принцип действия, физические процессы в структуре с двумя взаимодействующими переходами
Коэффициенты инжекции и переноса носителей заряда,коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Основные уравнения. Активный режим работы,режимы отсечки и насыщения,инверсное включение.
|
|
|
Эффект модуляции толщины базы в полупроводниковой структуре с двумя взаимодействующими переходами
Математическая модель биполярного транзистора.СхемаЭберса-Мола
Схема включения биполярного транзистора с общей базой.Входные и выходные ,идеализированные характеристики.Режимыработы:активный,отсечки и насыщение.
Реальные выходные ВАХ транзистора,включенного по схеме с общей базой
Дата добавления: 2018-05-13; просмотров: 252; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!