Упрощенная эквивалентная схема для переменных составляющих сигналов.
Приближенная эквивалентная схема, которую можно использовать, если известно, что транзистор работает в режиме насыщения (в области насыщения), и если амплитуда и частота сигнала достаточно малы (рис. 1.96). Знаком «~» отмечено, что используются переменные составляющие сигналов.
Знак «минус» в выражении – S · uзи отражает тот факт, что при увеличении напряжения между затвором и истоком ток стока уменьшается. При объяснении влияния напряжения uис на ширину p-n-перехода использовалась схема с общим истоком (см. рис. 1.89).
Выходные (стоковые) характеристики.
Выходной характеристикой называют зависимость вида iс =f(uис)| uзи = const
Выходные характеристики для кремниевого транзистора типа КП10ЗЛ с p-n-переходом и каналом p-типа (рис. 1.90).
При uзи = 0 в линейной области (uис < 4 В) характеристика почти линейна (все характеристики этой области представляют собой почти прямые линии, веерообразно выходящие из начала координат) и определяется сопротивлением канала. Транзистор, работающий в линейной области, можно использовать в качестве линейного управляемого сопротивления.
При uис = 3 В канал в области стока перекрывается. Дальнейшее увеличение напряжения приводит к очень незначительному росту тока ic, так как с увеличением напряжения область, в которой канал перекрыт (характеризующаяся большим удельным сопротивлением), расширяется. При этом сопротивление на постоянном токе промежутка исток-сток увеличивается, а ток ic практически не изменяется.
|
|
|
Ток стока в области насыщения при uзи = 0 и при заданном напряжении uис называют начальным током стока и обозначают через iс нач. Для рассматриваемых характеристик iс нач = 5 мА при uис = 10 В. Для транзистора типа КП10ЗЛ минимальное значение тока iс нач равно 1,8 мА, а максимальное — 6,6 мА. При uис > 22 В возникает пробой p-n-перехода и начинается быстрый рост тока.
Чем больше заданное напряжение uзи, тем тоньше канал до подачи напряжения uис и тем ниже располагается характеристика.
В области стока напряжение на p-n-переходе равно сумме uзи + uис. Поэтому чем больше напряжение uзи, тем меньше напряжение uис, соответствующее началу пробоя.
Когда uзи = 3 В, канал оказывается перекрыт областью p-n-перехода уже до подачи напряжения uис. При этом до пробоя выполняется условие ic = 0. Таким образом, uзи отс = 3 В.
Для рассматриваемого типа транзистора минимальное напряжение отсечки +2 В, а максимальное +5 В. Эти величины соответствуют условию ic = 10 мкА. Это так называемый остаточный ток стока, который обозначают через ic отс.
Полевой транзистор характеризуется следующими предельными параметрами (смысл которых понятен из обозначений): uис макс, uзс макс, Pмакc. Для транзистора КП10ЗЛ uис макс = 10 В, uзс макс = 15 В, Pмакc = 120 мВт (все при t = 85°С).
|
|
|
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 422; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!