Дырочные полупроводники (р-типа)
Питання до семінару по ТТЕ
1. В чому полягає різниця між електронною провідністю і дірковою?
Відповідь: Електронна провідність: Містить донорні домішки.
Донорні домішки – це 5 валентні атоми.
Діркова провідність: Містить акцепторні домішки.
Акцепторні домішки – це 3 валентні атоми.
2. Означення і формула тривалості життя не основних носіїв.
Відповідь: Це час протягом якого концентрація зменшується в наслідок рекомбінації в е разів. е=2,7183…
3. Що називається диф. довжиною носіїв?
Відповідь: Відстань, що проходить носії протягом середньої тривалості життя.
4. Означення діода і всі його види.
Відповідь: Діод – це електронний перетворювальний напівпровідниковий прилад з одним переходом і 2 виводами.
Види: випрямні, НВЧ, універсальні, імпульсні, тунельні, обернені, варикапи, стабілітрони, фотодіоди і світлодіоди.
5. Назвати режими роботи БТ.
Режими: режим відсічки, насичення, активний режим і інверсний.
6. Перерахувати переваги і недоліки систем зі спільним емітером (ССЕ).
Переваги: а)Високий коеф. передачі 
. б)Значно більш. вхідний опір схеми.
Недоліки: Не керована складова 
в 1+β разів більше ніж у системі зі спільною базою.
7. Означення світлодіода.
Це НПП з одним або кількома переходами для перетворення елек. енергії в енергію випр.
8. Що таке фоторезистор? Головні недоліки.
Це прилад, електричний опір яких змін. під дією світла.
|
|
|
Недоліки: Нелінійний характер і мала швидкодія.
9. Склад оптрона і його переваги.
Оптрон складається з: джерела, герметик. корпуса, фотоприймача і електростат. екрана.
Переваги: 1) Можливість керувати високими напругами і струмами при низьких вх. напруг. 2) Широка смуга частот. 3) Широта функціональна можливість.
10. Для чого застосовується фотоприймачі?
Для перетвор. Світлових сигналів в електричні за допомогою внутрішнього фотоефекту.
11. Визначення діоду Шотткі.
Діод Шотткі (названий на честь імені німецького фізика Шотткі Вальтера), також відомий, як «діод з гарячими носіями», є напівпровідниковим діодом з низьким значенням падіння прямої напруги, та дуже швидким перемиканням. Діоди Шотткі використовують перехід метал-напівпровідник, як бар'єр Шотткі
12. Означення стабілітрона.
Стабілітрон- різновид діодів, що в режимі прямих напруг, проводять струм як звичайні діоди, а при зворотній напрузі —струм різко зростає тільки в області напруг близьких до пробою.
13. Означення польового транзистора.
напівпровідниковий пристрій, переважно із трьома виводами, в якому сила струму, що протікає між двома електродами (витоком і стоком) регулюєтьсянапругою, прикладеною до третього електрода.
|
|
|
14. Що таке мікросхема?
Мікросхема- це електронна схема, що реалізована у вигляді напівпровідникового кристалу (чипу) та виконує певну функцію.
15. Визначення емітерного повторювача.
16.
Емітерний повторювач - окремий випадок повторювачів напруги на основі біполярного транзистора. Характеризується високим підсиленням по струму і коефіцієнтом передачі по напрузі, близьким до одиниці.
16. · Электронные полупроводники (n-типа)
Полупроводник n-типа
Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными.
|
|
|
Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:
Дырочные полупроводники (р-типа)
Полупроводник p-типа
Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
Проводимость p-полупроводников приблизительно равна:
18.Пробій.Види пробоїв:
Пробі́й — явище втрати діелектриком електроізоляційних властивостей з утворенням каналу електропровідності при розміщенні його в електричному полі
|
|
|
Види:Тепловий,лавинний,тунельний,електричний
19. p-n-Перехо́д или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
20.Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.
Дата добавления: 2018-05-02; просмотров: 215; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!