Определение потерь в элементах
Трансформатор TV, диод VД и транзистор VT (Рис. 2.6.3, 2.6.4, 2.6.5) устанавливаются на калориметрических ядрах, подсоединяются проводами длиной 0,1 м к соответствующим местам платы ИВЭП, и исследуемый элемент помещают в оболочку сферической формы, имеющую большую теплоемкость. Производится подключение платы к стабилизированному источнику питания ТЭС23, на котором выставлено напряжение 27В. Включаем самопишущий прибор, затем подаем +27В на управляющий контакт и делаем отметку начала эксперимента на диаграммной ленте.
В течении 10 – 20- минут производится разогрев элемента, затем по диаграммной ленте определяются значения в различные моменты времени, и по формуле (2.6.1.) определяем значение Ф1, мощности тепловыделений в элементе.
Результаты экспериментальных исследований по определению потерь в элементах ИВЭП
Плата ИВЭП подключена через вольтметр и амперметры к источнику стабилизированного постоянного тока напряжением 27В и к нагрузке сопротивлением 36 Ом. Плата потребляла ток силой 210 mA и вырабатывала напряжение 12,0В при токе в нагрузке 330 mA. Мощность потребляемого тока была 5,67 Вт, вырабатываемого 4,0 В. Потери в плате составляли 1,67 Вт.
Каждый из исследуемых элементов с калориметрическим ядром помещался в оболочку, где разогревался от температуры среды до стационарного состояния.
При сопротивлении нагрузки 240 Ом и напряжении 27В сила, потребляемая током была 310 мА, вырабатываемое напряжение было 11,8В и сила тока 490мА. Таким образом рассеиваемая платой мощность была 2,59Вт.
|
|
В результате измерений и расчетов получены следующие значения мощностей тепловыделений в элементах:
Вся мощность | 1,67Вт | 100% | 2,59 Вт | 100% | |
Трансформатор TVI | 0,3 0,04 Вт | 18% | 0,44 0,04Вт | 17% | |
Диод VДИ | 0,18 0,02 Вт | 11% | 0,29 0,02Вт | 11% | |
Транзистор VT12 | 0,13 0,02 Вт | 8% | 0,20 0,02Вт | 8% | |
Остальные элементы платы | 1,06 0,08 Вт | 63% | 1,67Вт | 64% | |
Рис. 3.2. Общий вид установки по измерению тепловыделений в макете
Рис.3.3. Макет ИВЭП с вынесенными транзистором VT12, диодом VD4 и трансформатором TV1, установленных на калориметрических ядрах
Рис.3.4. Трансформатор TV1, установленный на калориметрическом ядре.
Рис.3.5. Плата ИВЭП с вынесенными элементами, транзистором VT12, трансформатором TV1 и диодом VD4.
Рис.3.6. Сферическая оболочка, предназначенная для стабилизации среды для испытаний элементов ИВЭП.
2.7 Выводы:
Анализ требований к тепловому режиму современных электронных компонентов показал, что их предельно допустимые температуры находятся в широком диапазоне температур.
|
|
Все электронные компонентыможно разделить на четыре группы
1 группа до +85
2 группа от +86 и до +100
3 группа от +101 и до +150
4 группа от +151 и до +170
Определить мощность тепловых потерь в современных электронных компонентах по электрическим параметрам невозможно с достаточной точностью, так как электрический сигнал передается через несколько выводов. Для определения тепловых потерь каждого элемента был разработан калориметрический метод определения тепловых потерь в элементам
Дата добавления: 2018-04-15; просмотров: 244; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!