Вывод: рассчитаны граничные частоты в схемах включения ОБ и ОЭ и предельная частота
⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
Сводка конечных результатов
| № | Параметр | Результат |
| 1 | Топологический чертеж транзисторной структуры | Рис. 2.1 |
| 2 | Малосигнальная эквивалентная схема | Рис. 2.2 |
| 3 | Коэффициент передачи эмиттерного тока | 
|
| 4 | Коэффициент усиления базового тока |  273
|
| 5 | Барьерная емкость перехода ЭБ в рабочем режиме |  = 60 фФ
|
| 6 | Барьерная емкость перехода КБ в рабочем режиме |  = 27 ф
|
| 7 | Диффузионная емкость эмиттерного перехода |  = 16 фФ
|
| 8 | Маршрутная карта изготовления транзистора | §2.2.2 |
Список используемой литературы.
1. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектронике. Учебное пособие ЮРАЙТ Высшее образование, Москва, 2009 год.
2. Баринов В.В., Онацко В., Шишина Л.Ю. Основы топологического проектирования ИМС. — под ред. В.Онацко. М.: МИЭТ, 1994.
3. Титова И.Н. Методические указания по выполнению курсового проекта. Учебно-методическая разработка для самостоятельной работы студентов по курсу «Элементы твердотельной электроники и физики полупроводниковых приборов». Электронный вариант по адресу: www.miet.ru/ИЭИРС/кафедра-ИЭМС/НАИМЕНОВАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ - Элементы твердотельной электроники (КП).
Дата добавления: 2018-04-05; просмотров: 139; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!