Изменением концентрации подвижных носителей

⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 6Следующая ⇒

Вблизи границы раздела полупроводников разной структуры.

5. Наличием тока через р-п переход.

28. Какова примерно высота потенциального барьера р-п перехода в равновесном состоянии у германия

1. 0,01—0,05 В.

2. 0,05—0,1 В.

В.

4. 0,5—1 В.

29. Какова примерно высота потенциального барьера р-п перехода в равновесном состоянии у кремния?

1. 0,01—0,5-В.

2. 0,05—0,5 В.

В.

4. 0,8—1 В.

36. Как зависит напряжение пробоя перехода от удельного электрического сопротивления слоев полупроводника, прилегающих к переходу?

Увеличивается с ростом удельного электрического сопротивления.

2. Уменьшается с ростом удельного электрического сопротивления.

3. От удельного электрического сопротивления напряжение пробоя не зависит.

37. Как зависит напряжение туннельного пробоя от температуры?

1. Увеличивается с ростом температуры.

Уменьшается с ростом температуры.

3. От температуры не зависит.

43. Полный ток через р-n-переход в состоянии равновесия равен:

1. 0;

2 обратному току I_s;

3. прямому току;

4. сумме прямого и обратного тока;

5. другой ответ

Полупроводниковые диоды

Номер:2.771.6.2.

Задание: Что такое выпрямительный диод?

Ответы:

1. Диод, имеющий два или более р-п переходов.

Диод, предназначенный для использования в устройствах преобразования переменного тока в постоянный.

3. Диод, не имеющий р-п перехода.

4.Диод, имеющий симметричную вольт-амперную характеристику.

5.Другой ответ.

Номер:2.771.7.2

Задание: Укажите график теоретически ожидаемой зависимости тока полупроводникового диода от значения приложенного напряжения.

Ответы:

1. 2. 3.

4. 5.

Номер:2.771.2.8.5.

Задание: Чем объясняется отклонение экспериментальной характеристики полупроводникового диода от теоретической при больших прямых токах?

Ответы:

1. Изменением структуры кристаллической решетки.

2. Уменьшением концентрации подвижных носителей.

3.Увеличением концентрации подвижных носителей.

4. Наличием сопротивления сильно легированного слоя р.

5. Наличие сопротивление слабо легированного слоя n.

Номер:2.771.2.3.2.

Задание: Какие причины приводят к резкому возрастанию обратного тока при большом обратном напряжении на диоде?

1. Уменьшение сопротивления слоев полупроводника, прилегающих к р-п переходу.

Возникновение пробоя перехода.

3. Уменьшение концентрации подвижных носителей.

4. Уменьшение скачка потенциала на переходе.

5. другой ответ

Номер:2.771.3.5.4.

Задание: Укажите обратную ветвь вольт-амперной характеристики стабилитрона.

Ответы:

1. 2. 3. 4.

Номер:2.771.3.6.1.

Задание: Что называется туннельным диодом?

Ответы:

Диод, имеющий на прямой ветви вольт-амперной характеристики участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

2. Диод, имеющий на обратной ветви вольт-амперной характеристики участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

3. Диод, работающий в режиме лавинного пробоя при больших обратных смещениях.

4. Правильного ответа нет.

Номер:2.771.2.3.

Задание: Как изменяется прямая ветвь вольт-амперной характеристики диода при повышении температуры (при небольших токах)?

Ответы:

1. 2.

3. 4.

Номер:2.771.10.3.

Задание: Что такое дифференциальное сопротивление диода?

Ответы:

1. Отношение прямого напряжения к обратному току.

2. Отношение обратного тока к прямому напряжению.

Дата добавления: 2018-04-05; просмотров: 744; Мы поможем в написании вашей работы!
Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 123 4 5 6 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!