Выбор оконечных транзисторов, расчёт площади теплоотводов
Выходные транзисторы выбираются по предельно-допустимым параметрам:
(3.1)
(3.2)
(3.3)
По справочнику [5] подбираем транзисторы, удовлетворяющие предельным параметрам:
VT4: КТ819Б (n-p-n)
VT5: КТ818Б (p-n-p)
Рассчитаем площадь теплоотвода для транзистора VT4.
Общее тепловое сопротивление:
, (3.4)
где 
- температура окружающей среды;
- температурный запас.
Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих:
, (3.5)
где 
- тепловое сопротивление корпус транзистора – теплоотвод;
- тепловое сопротивление теплоотвод – окружающая среда.
Выберем 
, (3.6)
где 
- коэффициент, зависящий от условий теплообмена радиатора с окружающей средой;
- площадь теплоотвода.
Из формулы (3.5) определяем:
Из формулы (3.6) определяем:
. (3.7)
Так как параметры VT4 и VT5 одинаковые, то площадь теплоотвода транзистора VT5 равна 53.53см2.
|
|
|
Суммарная площадь теплоотводов для двух транзисторов:
. (3.8)
Расчёт и выбор элементов усилителя мощности – предоконечные транзисторы, источники тока и др.
Резисторы R3 и R4, включённые параллельно эмиттерным переходам предоконечных транзисторов, предотвращают режим обрыва базы выходных транзисторов при запирании предоконечных транзисторов и выбираются в пределах 100-500 Ом[1].
R3,R4: МЛТ-0,125-470 Ом ± 5%.
Входной ток выходных транзисторов VT4 и VT5:
(4.1)
Требования к предоконечным транзисторам:
(4.2)
(4.3)
(4.4)
Выбираем транзисторы с параметрами[5]:
VT2: КТ815А (n-p-n)
VT3: КТ814А (p-n-p)
После выбора предоконечных транзисторов определяем входной ток усилителя мощности:
Определяем UБЭ4=0.7В.
(4.5)
|
|
|
Напряжение Uкэ транзистора VT1 устанавливают равным:
(4.6)
где 
напряжение отпирания транзисторов.
Транзистор VT1 включён по схеме с коллекторной стабилизацией – c отрицательной обратной связью по напряжению. Напряжение на нём:
(4.7)
Определив значение Uсм и задавшись R2=1кОм рассчитаем R1(UБЭ=0.7В):
(4.8)
Выбираем R1: СП3-38а-0,125-4,7 кОм 
20%;
R2: МЛТ-0,125-1 кОм 5%.[1]
Ток источника тока равен (IO≥IВХМ):
Выбираем транзистор VT1:
(4.9)
(4.10)
(4.11)
Выбираем транзистор с параметрами[5]:
VT1: КТ348А (n-p-n)
Рассчитаем источники тока.
Входные токи: .
|
|
|
Рис.4.1. Схема источника тока.
Выбираем транзисторы VT6 и VT8 по предельным параметрам:
(4.12)
(4.13)
(4.14)
Выбираем транзисторы с параметрами[5]:
VT6, VT8: КТ361А (p-n-p)
Потенциал базы UБ для сохранения активного режима транзистора должен удовлетворять условию:
Выбираем ток делителя:
|
|
|
(4.15)
Рассчитываем резисторы: Uпр=0,7В
(4.16)
(4.17)
(4.18)
Выбираем резисторы R5,R6,R7[1]:
R5: МЛТ-0,125-2 кОм 5%;
R6: МЛТ-0,125-330Ом 5%;
R7: МЛТ-0,125-10кОм 5%.
Второй источник тока на n-p-n транзисторе рассчитывается аналогично. Результаты расчетов будут такие же.
Выбираем n-p-n транзисторы VT7, VT9 и резисторы R8, R9, R10 для второго источника тока[1,5].
VT6, VT8: КТ315А (n-p-n)
R8: МЛТ-0,125-2 кОм 5%;
R9: МЛТ-0,125-330Ом 5%;
R10: МЛТ-0,125-10кОм 5%.
Выбор операционного усилителя для усилителя мощности, расчёт элементов цепи ООС.
По справочнику [8] подбирается ОУ с характеристиками, удовлетворяющими условиям:
(5.1)
(5.2)
(5.3)
(5.4)
Выбираем операционный усилитель DA1 КР140УД6А с параметрами:
Дата добавления: 2018-02-28; просмотров: 502; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!