Прямое включение p-n перехода это
Атомы, энергетические уровни и зоны
2,Высокочастотные диоды входят в группу полупроводниковых диодов, которые прездназначены для обработки ВЧ сигналов. Существуют 2 разновидности высокочастотных диодов: 1 – детекторные ВЧ диоды, которые выделяют НЧ сигнал из модулированного. 2 – смесительные ВЧ диоды, которые предназначены для перемножения двух ВЧ сигналов.
Pin-диоды— разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i-область) Широкая нелегированная i-область делает pin-диод плохим выпрямителем (обычное применение для диода), но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах (ослабителях сигнала), быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике.
Способы изготовления p-n перехода
Использование: технология получения р-n-переходов. Сущность изобретения: в способе изготовления р-n-перехода, легированного элементами или стабильными изотопами с аномально высоким сечением поглощения тепловых нейтронов (литий, бор и другие), диффузионную загонку легирующей примеси осуществляют путем помещения сборки "пластина основного материала + источник диффузии" в облучательный канал атомного реактора импульсного или непрерывного действия, в результате чего происходит локальный разогрев до высоких температур источника и поверхностного слоя пластины. Промежуточные операции -подготовку диффузионной пары, нанесение защитного SiO2 - покрова на р-n-переход и т.д. - производят известным способом. Техническим результатом изобретения является локализация высокотемпературного нагрева на стыке твердого диффузанта и пластины, исключение необходимости термостатирования больших объемов и защиты от вредных компонентов нагретой среды всей пластины с р-n-переходом.
CВЧ диоды
|
|
|
СВЧ диод обладает малой электрической стойкостью, поэтому при обращении с ним стоит соблюдать особую осторожность. Каждый диод должен находиться на хранении в закрытом металлическом патроне. Необходимо следить за тем, чтобы статическое электричество с тела или приборов не разряжалось через диод.
Сверхвысокочастотным (СВЧ) диодом называют диод-полупроводник рассчитанный на функционирование в СВЧ спектре.
6,Импульсные диоды предназначены для работы в импульсных режимах. Такие диоды используют, например, в вычислительных устройствах (в ключевых, логических схемах и др.). В импульсных режимах через промежутки времени, равные единицам - долям микросекунды, диоды переключаются с прямого напряжения на обратное. При этом каждое новое состояние диода не может устанавливаться мгновенно, поэтому существенное значение
|
|
|
Динамический режим работы транзистораДинамическим режимом работы называют такой
режим, в котором к транзистору, который усиливает входной сигнал, подключена нагрузка. Такой нагрузкой может служить резистор Rс, подсоединённый последовательно со стоком полевого транзистора, включённого по схеме с общим истоком, что показано на рис. 5.10.
Постоянное напряжение питания каскада Uп составляет сумму падений напряжений на выводах сток-исток транзистора и на резисторе Rс, то есть Uп = URс + Uси.р. В тоже время, согласно закону Ома, падение напряжения на нагрузочном резисторе Rс равно произведению протекающего по нему тока Iс.р на его сопротивление: URс = Iс.р • Rс. Согласно сказанному, напряжение питания каскада составляет: Uп = Uси.р + Iс.р • Rс. Последнее выражение можно переписать относительно напряжения сток-исток транзистора, и в этом случае получим линейную формулу для выходной цепи Uси.р = Uп – Iс.р • Rс, которую именуют уравнением динамического режима.
Прямое включение p-n перехода это
При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.
|
|
|
Дата добавления: 2018-02-28; просмотров: 447; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!