Механизмы возникновения пробоев в полупроводниках
В инженерных расчетах полагают, что ток I0 удваивается на каждые 10 °С в германиевых диодах, а в кремниевых на каждые 7 °C.
Температурные изменения прямого падения напряжения на диоде оценивают температурным коэффициентом напряжения при Iпр = const. В расчетах его принимают равным –2 мВ/°С.
Все диоды характеризуются общими параметрами, к которым относятся:
рабочий диапазон температур;
допустимый прямой ток Iпр макс, при котором температура перехода достигает Tмакс;
допустимое обратное напряжение Uобр макс, при котором не происходит пробоя p-n-перехода, обычно Uобр макс £ 0,8Uпр;
Рис. 2
допустимая мощность, рассеиваемая на диоде , где RT – тепловое сопротивление перехода, характеризующее условия теплоотвода, обычно RT определяется экспериментально и приводится в справочниках;
прямое и обратное сопротивления диода постоянному току
; ;
прямое и обратное дифференциальные сопротивления (сопротивления переменному току)
; .
Кроме общих параметров некоторые виды диодов характеризуются специальными параметрами, присущими только этим диодам.
Дата добавления: 2015-12-21; просмотров: 15; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!