РАСЧЁТ ПЕРИОДА КОЛЕБАНИЙ МУЛЬТИВИБРАТОРА

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА №8

РАСЧЁТ КЛЮЧА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Рисунок 1

Цель работы: определить значения элементов схемы транзисторного ключа

Исходные данные:

˗ напряжение питания Ε_к=10В;

˗ амплитуда входного сигнала U_вх=3В;

˗ амплитуда выходного сигнала U_вых≥8В;

˗ сопротивление нагрузки R_н=3,3кОм;

˗ степень насыщения транзистора S=3;

˗ температура окружающей среды t⁰=20÷60⁰С;

˗ обратный ток I_кбо=10мкА;

˗ коэффициент передачи тока базы в схеме ОЭ β_min=30;

˗ напряжение U_бэ=0,7В.

Определить значения резисторов R₁, R₂, R_к.

 

Пример выполнения задания.

Напряжение смещения обеспечивает закрытое состояние транзистора при отсутствии входного сигнала. Оно должно соответствовать неравенству:

≥I_{кбо max}ˑR₂,

откуда R_{2 ,}

где  I_{кбо max} – значение обратного тока транзистора при максимальной температуре.

Этот ток вычисляется по формуле:

 I_{кбо max}= I_кбоˑ

Подставляем исходные значения, получаем:

I_{кбо max}= 10ˑ =245мкА

Напряжение смещения выбираем из условия:

=(0,1

Предположим =0,2

Значит, =0,2ˑ10=2В

Находим R₂

R₂≤  = 8,2ˑ10³ Ом.

Согласно ГОСТ выбираем значение сопротивления

R₂ = 6,8 кОм 10%.

Для закрытого транзисторного ключа верно уравнение

Е_к–U_вых=(I_кбо + I_н)ˑR_к

Для обеспечения минимального выходного напряжения необходимо брать максимальное значение обратного тока I_{кбо max}. Поэтому

 

R_к≤

Подставляем данные, получаем:

 

R_к≤  =749 Ом

Выбираем согласно ГОСТ R_к=680 Ом 10%.

Для обеспечения заданной степени насыщения транзистора необходим ток базы I_б, определяемый по формуле:

I_б=

Получаем I_б=  = 1,47 мА.

Теперь можно определить R₁

 

R₁=

Получаем R₁=  =1,39ˑ10³ Ом

Выбираем согласно ГОСТ ближайшее к полученному значение R₁

R₁=1,5 кОм 10%.

 

Задание:

Получить у преподавателя свой вариант задачи и произвести решение согласно приведённой методике.

вариант   параметр	1	2	3	4	5	6	7	8	9
Ек, В	12	11	10	11	12	12	12	10	11
Uвх, В	5	5,3	3,5	6	4,5	4	3	5	5,4
Uвых, В	10	9	7,6	9	9	10	8	8	8
Rн, кОм	3,9	2,7	2,7	3,9	3,3	4,7	3,9	4,7	3,9
S	3	4	3	3	4	3	4	4	4
t0	20÷70	20÷70	20÷60	20÷60	20÷60	20÷70	20÷70	20÷60	20÷70
Iкбо, мкА	3	5	10	7	8	8	9	9	5
βmin	40	30	35	40	40	35	30	30	30
Uбэ, В	0,9	0,8	0,6	0,9	0,8	0,7	0,7	0,8	0,9

 

 

Номинальное сопротивление резисторов по ряду Е6, Е2, У24

(омы, килоомы, мегаомы)

1,0	1,0 1,2	1,0 1,1 1,2 1,3	10	10 12	10 11 12 13	100	100 120	100 110 120 130
1,5	1,5 1,8	1,5 1,6 1,8 2,0	15	15 18	15 16 18 20	150	150 180	150 160 180 200
2,2	2,2 2,7	2,2 2,4 2,7 3,0	22	22 27	22 24 27 30	22	220 270	220 240 270 300
3,3	3,3 3,9	3,3 3,6 3,9 4,3	33	33 39	33 36 39 43	330	330 390	330 360 390 430
4,7	4,7 5,6	4,7 5,1 5,6 6,2	47	47 56	47 51 56 62	470	470 560	470 510 560 620
6,8	6,8 8,2	6,8 7,5 8,2 9,1	68	68 82	68 75 82 91	680	680 820	680 750 820 910
20%	1 0%	%	20%	1 0%	%	20%	1 0%	%

 

 

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА №6

РАСЧЁТ ПОКАЗАТЕЛЕЙ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

Цель работы: рассчитать коэффициент усиления, коэффициент передачи цепи обратной связи, входное и выходное сопротивление двухкаскадного усилителя с последовательной отрицательной обратной связью по напряжению.

 В двухкаскадном усилителе с ОЭ («двойка по напряжению») применена последовательная отрицательная обратная связь по напряжению. Транзисторы VT₁ и VT₂ идентичны: β=40; R_Э=1кОм; R_ОС=10 кОм; R_К=3,9 кОм; R_вых=24,8кОм.

Определить усилительные параметры схемы.

 

Решение.

Глубина обратной связи в схеме с последовательной ООС по напряжению определяется выражением

F=1+K · Ϫ,

где K– коэффициент усиления по напряжению в схеме без ООС; Ϫ –коэффициент передачи цепи ООС.

Для определения глубины ООС вычислим указанные параметры при следующих допущениях:

R_r << R_вх1; R_вых2 <<  R_н; R_ОС >> R_Э.

Коэффициент усиления схемы по напряжению

К ₂ R_К2/ R_Э = 40· (3,9·10³)/10³=156.

Коэффициент передачи цепи ОС

Ϫ= R_Э/ (R_Э+ R_ОС)=10³/(10³+10⁴)=0,091.

Отсюда глубина ООС равна:

F=1+156·0,091=15,182.

Коэффициент усиления схемы с ООС

К _ОС= К/ F=156/15,182=10,275.

Входное сопротивление схемы

R_{вх ОС} = R_вх F (1+ ₁) R_Э·F = 41·10³·15,182 = 622,455 кОм.

При большом сопротивлении участка база-эмиттер-земля начинает сказываться шунтирующее действие участка база-коллектор, и входное сопротивление ограничивается величиной r_К1.

Выходное сопротивление

R_{вых ОС} =  = =  = 1,151кОм.

 

вариант	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
	50	60	40	50	40	45	50	55	60	65	45	40
RК, кОм	4,7	5,6	6,8	5,6	3,9	5,6	4,7	5,6	3,9	4,7	4,7	5,6
RЭ, кОм	1,5	1,8	2,2	1,2	1,5	1	2,2	1,8	1,5	1	2,2	1,2
RОС, кОм	12	15	15	12	12	12	10	15	12	15	10	10
Rвых, кОм	26	30	36	24	30	25	26	28	30	30	36	32

 

вариант	13	14	15	16	17	18	19	20	21	22	23	24
	50	55	65	60	45	40	55	50	65	60	45	55
RК, кОм	3,9	4,7	3,9	3,9	5,6	6,8	6,8	4,7	3,3	4,7	5,6	4,7
RЭ, кОм	1,2	1,5	1,5	1,8	2,2	1,5	1,5	1,8	1,8	2,2	2,2	1,2
RОС, кОм	12	15	18	18	12	15	18	18	12	15	18	18
Rвых, кОм	34	35	29	32	31	33	28	25	35	29	30	27

 

 

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА №7

РАСЧЁТ ПЕРИОДА КОЛЕБАНИЙ МУЛЬТИВИБРАТОРА

Цель работы: рассчитать постоянную времени и период колебаний мультивибратора.

В схеме мультивибратора R₁=24 кОм; R₂=62 кОм; R=100 кОм; С=50 нФ. Чему равен период колебаний?

Решение.

Период колебаний определяется по формуле

T= 2τ· ln [(1+ γ)/(1- γ)],

где τ = C·R;  γ= R₁/( R₁+ R₂).

Определяем

 τ = C·R=50·10^-9·100·10³ 5·10^-3с = 5 мс.

γ = 24·10³ /(24·10³ +62·10³) 0,279;

(1+ γ)/(1- γ) = (1+0,279)/(1-0,279) =1,279/0,721 1,774;

ln [(1+ γ)/(1- γ)] = 0,570;

Т = 2·5·10^-3·0,57=5,730 мс

вариант	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
R1, кОм	22	27	33	22	27	33	22	27	33	24	30	24
R2, кОм	56	68	75	82	91	62	56	68	75	82	91	62
R, кОм	91	100	110	120	130	91	100	110	91	130	91	100
С, нФ	68	47	33	22	68	47	33	22	68	47	33	22

 

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА №9

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА №10

 

---

Дата добавления: 2021-12-10; просмотров: 46; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

---

---

Мы поможем в написании ваших работ!