Расчет НЧ усилительных параметров транзистора
Исходные данные:
Напряжение база коллектор Uбк=5 В;
Ток коллектора Iк=5 мА;
h11б=38 Ом;
h21э=100 Ом;
h22б=5 мкСим;
Сопротивление базы транзистора rб=50 Ом;
Емкость перехода Ск=10 пф;
|B|=6;
Расчет:
Крутизна характеристики:
So=1000/ h11б=1000/38=26 мА/В;
Входная проводимость:
g=(100*10-3)/( h11б(1+ h21э))= (100*10-3 )/(38*(1+200))=0,26*10-3 Сим;
Проводимость обратной связи:
Gос= h22б=5*10-6 Сим;
Выходная проводимость:
gi= h22б*(1+ rб* So*10-3)= 5*10-6*(1+200*26*10-3)=18*10-6 мкСим;
Постоянная времени:
Շ=(rб* Ск)/(2*π*m*|B|*f* h11б* Ск)=
=(500)/(1,6*6,28*6*10*38*10)=0,0021 мкс;
Расчет ВЧ параметров транзистора
Определить высокочастотные параметры транзистора на частоте 465КГц, ток коллектора 5мА.
Исходные данные:
Напряжение база коллектор Uбк=5В;
Ток коллектора Iк=5мА;
Крутизна характеристики So=26 мА/В;
Входная проводимость g=0,26*10-3 Сим;
Выходная проводимость gi=18*10-6 мкСим;
Постоянная времени Շ=0,0021 мкс;
rб=50 Ом;
Ск=10 пф;
Fo=465КГц;
Расчет:
Определение вспомогательных коэффициентов:
Н= So* rб*10-3=26*50*10-3=1,3;
Ф= (So* rб* Ск*10-9)/Շ=(26*50*10)/(0,0021)*10-9=6,19*10-3 Сим;
Б=(Շ/ rб)*(1-g* rб)*10-6=(0,0021/50)*(1-0,26*10-3 *50)*10-6=20 пФ;
υ=2*π*fo*Շ=2*3,14*0,465*0,0021=0,006;
Входное сопротивление:
gвх=g+ υ2/ rб=0,26+(0,006/50)=0,21*10-3 Сим;
Rвх=1/ gвх=1/(0,0021)=4761 Ом;
Выходное сопротивление:
gвых= gi+ υ2/Ф=5*10-6 +0,0062*6,19*10-3=25*10-7 Сим;
Rвых=1/ gвых=1/(25*10-7)=188*103 Ом;
Входная емкость:
Свх=Б=20 пФ;
Выходная емкость:
Свых=Ск(1+Н)=10*(1+1,3)=23 пФ;
Крутизна характеристики:
|
|
|
S=So= 26 мА/В;
Выбор числа поддиапазонов и их границ
Исходные данные: fmax= 285 КГц ; fmin= 148 КГц (ДВ)
fmax= 1605 КГц ; fmin= 525 КГц (СВ)
Согласно техническим требованиям коэффициент поддиапазона КПД≤ 3.
Проверяется коэффициент перекрытия поддиапазона КД по формуле:
(2.1)
(ДВ)
(СВ)
Так как 
заданного по техническим услов 
иям (1,93 < 3), то разбивка на поддиапазоны не производится.
Для обеспечения перекрытия данных поддиапазонов при изменении напряжения питания, изменении температуры и т.д., необходимо раздвинуть крайние частоты поддиапазонов на 1ч3%. Поэтому определяют крайние частоты перекрытием для каждого поддиапазона.
Крайние частоты каждого поддиапазона 
определяются по формуле: 
(2.2)
(ДВ)
(СВ)
Коэффициент поддиапазона 
с перекрытие:
(2.3)
|
|
|
(ДВ)
(СВ)
Выбор блока переменных конденсаторов
Для проектируемого приемника ориентируясь на минимальную частоту рабочего диапазона fmin=148КГц, я выбираю КПЕ с параметрами:
Сmin=25пФ Сmax=750пФ. для
Емкость построечного конденсатора: Сподстр.=2ч8пФ.
Марка блока – «Сириус-5».
Проверка перекрытия диапазонов
Провести проверку перекрытия выбранным КПЕ заданного диапазона.
Исходные данные:
коэффициент поддиапазона с запасом К1ПД = 1,92; (ДВ)
К1ПД = 3,05; (СВ)
КПЕ: С min = 25 пФ; С max = 750 пФ (ДВ)
С min = 15 пФ; С max = 500 пФ (СВ)
Эквивалентная ёмкость схемы 
:
(2.4)
пФ (ДВ)
пФ (СВ)
Вычисляем действительную ёмкость схемы Ссх:
Ссх = СМ +С L +С ВН (2.5)
где СМ – ёмкость монтажа;
С L – ёмкость катушки;
СВН – вносимая ёмкость.
Ссх = 15+20+0 = 35 пФ (ДВ)
Ссх = 10+10+0 = 20 пФ (СВ)
|
|
|
так как 
> Ссх КПЕ выбран правильно.
Определяется дополнительная ёмкость Сдоб, которую необходимо включить в контур для обеспечения заданного перекрытия:
Сдоб = 
(2.6)
Сдоб = 164 – 35 = 129 пФ (ДВ)
Сдоб = 27,06 – 20 = 7,06 пФ (СВ)
Эквивалентная ёмкость контура входной цепи Сэ:
Сэ=(Cmin+C’cx)ч(Cmax+C’cx) (2.7)
Сэ =(12+164)ч(450+164)=176ч614 пФ (ДВ)
Сэ =(10+27,06)ч(250+27,06)=37,06ч277.06пФ (СВ)
В качестве добавочной ёмкости выбираю подстроечный конденсатор КПК с изменением ёмкости от 10 до 90 пФ.
Дата добавления: 2021-04-05; просмотров: 66; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!