Перечень практических занятий
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКТ ДОКУМЕНТОВ
ДЛЯ СТУДЕНТОВ ЗАОЧНОЙ ФОРМЫ ОБУЧЕНИЯ
ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА»
ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
Цели и задачи дисциплины
1. Изучение основных физических процессов в твердотельных приборах, а также их характеристик и параметров.
2. Формирование навыков использования твердотельных приборов в электронной аппаратуре.
Требования к уровню освоения дисциплины
В результате изучения дисциплины студенты должны:
1. Знать физические процессы, происходящие в твердотельных приборах, основные характеристики и параметры приборов и области их применения;
2. Уметь производить обоснованный выбор типа твердотельных приборов для конкретных практических применений, рассчитывать и исследовать режимы их использования, пользоваться стандартной терминологией;
3. Иметь представление о проблемах, стоящих перед твердотельной электроникой, о перспективах ее развития.
Содержание программы
Введение
Предмет, структура и содержание курса, связь с другими дисциплинами учебного плана. Краткая характеристика уровня развития твердотельной электроники.
Тема 1 . Поверхностные и контактные явления в твердых телах
Обедненные и обогащенные поверхностные слои. Инверсия типа электропроводности. Быстрые и медленные поверхностные состояния, поверхностная проводимость. Поверхностная рекомбинация. (Л1: 1.13, 1.14, 1.15).
|
|
|
Электронно-дырочный переход. Инжекция и экстракция носителей заряда. Резкий и плавный переходы. ВАХ. Барьерная и диффузионная емкости. Пробой электронно-дырочного перехода. (Л.1: 2.1, 2.2, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7, 2.8, 3.8, 3.11, 3.12, 3.13).
Омические переходы Требования к омическим переходам. Омические переходы между полупроводниками и на контакте металл -полупроводник. (Л.1: 2.9, 2.10).
Выпрямляющие переходы металл-полупроводник. Барьер Шоттки. (Л.1: 2.10).
Гетеропереходы. Энергетические диаграммы. Основные свойства. (Л.1: 2.11).
Тема 2. Полупроводниковые диоды
Структура диода. ВАХ. Генерация и рекомбинация носителей, механизмы пробоя. Выпрямительные диоды. Импульсные диоды, диоды Шоттки. Стабилитроны, стабисторы. Туннельные диоды, варикапы. Конструктивные особенности и параметры диодов. (Л.1: 3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.7, 3.8, 3.10, 3.11, 3.12, 3.13, 3.19, 3.19, 3.21, 3.22, 3.25, 3.26, 3.29, 3.31).
Тема 3. Биполярные транзисторы
Структура и основные режимы работы биполярных транзисторов (БТ). Схемы включения. Токораспределение. Идеализированная модель БТ. Статические параметры БТ. Статические характеристики и малосигнальные параметры, эквивалентные схемы, частотные свойства, конструкции (Л.1: 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.6, 4.8, 4.10, 4.11, 4.12, 4.13, 4.14, 4.17).
|
|
|
Тема 4. Тиристоры
Структура и принцип действия динистора. Тринисторы. Способы включения и выключения. Разновидности тиристорных структур. (Л.1: 5.1, 5.3, 5.4, 5.5).
Тема 5. Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью
Полевые транзисторы (ПТ) с управляемым р-n-переходом. Идеализированная модель. Статические характеристики и параметры. (Л.1: 6.1, 6.2, 6.3, 6.4).
МДП- транзисторы с индуцированным и со встроенным каналом. Статические характеристики и параметры. (Л.1: 6.5, 6.6, 6.7).
Структура и принцип действия приборов с зарядовой связью (ПЗС). Перенос информационного заряда. Параметры и применение ПЗС. (Л.1: 6.8, 6.9).
Тема 6. Шумы твердотельных приборов
Основные источники шумов. Шумовые параметры. Методы снижения шумов. (Л.1: 3.27, 4.16).
Тема 7. Светоизлучающие твердотельные приборы и фотоприемники
Твердотельные светоизлучающие приборы. Принцип действия, параметры. Твердотельные приемники излучения. Принцип действия, параметры. Оптопары. (Л.1: 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5, 9.6, 9.7, 9.9, 9.11).
Тема 8. Твердотельные датчики
Датчики температуры и магнитного поля. Характеристики, параметры. (Л.1: 10.1, 10.2, 10.4, 14.1,14.2, 14.3, 14.4).
Тема 9. Надежность твердотельных приборов
|
|
|
Основные понятия надежности. Типы отказов приборов. Пути повышения надежности. (Л.1: 3.32, 4.19).
Тема 10. Проблемы микроминиатюризации твердотельных приборов
Основные проблемы микроминиатюризации. Общие сведения об интегральной микроэлектронике, классификации интегральных микросхем, о планарной технологии. (Л.1: 7.1, 7.2, 7.3, 7.4, 7.5).
Заключение
Перспективные направления развития твердотельной электроники.
Примерный перечень лабораторных работ
| № | Наименование работы | № темы программы |
| 1 | Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов | 1, 2 |
| 2 | Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой | 3 |
| 3 | Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером | 3 |
| 4 | Исследование частотных свойств биполярного транзистора | 3 |
| 5 | Исследование тиристора | 4 |
| 6 | Исследование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом | 5 |
Перечень практических занятий
| № | Наименование темы занятия | № темы программы |
| 1 | Расчет постоянных токов биполярного транзистора при активном режиме. Статические параметры транзистора | 3 |
| 2 | Построение статических характеристик и определение по ним малосигнальных параметров биполярного транзистора | 3 |
| 3 | Построение эквивалентных схем биполярного транзистора | 3 |
|
|
|
Дата добавления: 2020-12-12; просмотров: 55; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!