ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы: изучение параметров, характеристик полевого транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Полевой транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 9 - Схема исследования характеристик полевого транзистора с n-каналом
Рисунок 10 - Схема исследования характеристик полевого транзистора с индуцированным каналом
а) Снимаем входную характеристику полевого транзистора Iз=f(Uзи). Изменяя величину входного напряжения, записываю показания PV1 и PA2 и результаты заношу в таблицу 6.
Таблица 6 – Входная характеристика полевого транзистора
| Uзи, В | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| Ic, мА | 0 | 0,22 | 0,43 | 0,61 | 0,82 | 21,3 | 26,5 | 30,4 | 35 |
По результатам измерений построила входную ВАХ полевого транзистора.
Рисунок 11 - Входная ВАХ полевого транзистора
б) Снимаю выходные характеристики полевого транзистора Iс=f(Uси) при Uзи=const. Изменяя величину входного напряжения Uси, записываю показания приборов PV2 и PA2, для 3-х фиксированных значений напряжения (Uзи=0, Uзи=0,5Uзиmax, Uзи=Uзиmax). Контроль за величиной напряжения Uзи осуществляется с помощью вольтметра PV1. Результаты измерений заношу в таблицу 7.
Таблица 7 – Выходные характеристики полевого транзистора
| Uзи=0, В | Uзи=5, В | Uзи=10, В | |||
| Uси, В | Iс, мА | Uси, В | Iс, мА | Uси, В | Iс, мА |
| VT1 2 | 0,02 | 2 | 0,03 | 2 | 0,01 |
| 4 | 0,06 | 4 | 0,06 | 4 | 0,05 |
| 6 | 0,08 | 6 | 0,09 | 6 | 0,09 |
| 8 | 0,13 | 8 | 0,12 | 8 | 0,14 |
| VT2 2 | 0,02 | 2 | 0,03 | 2 | 0,01 |
| 4 | 0,06 | 4 | 0,06 | 4 | 0,05 |
| 6 | 0,08 | 6 | 0,09 | 6 | 0,09 |
| 8 | 0,13 | 8 | 0,12 | 8 | 0,14 |
|
|
|
По результатам измерений построила выходные ВАХ полевого транзистора.
Рисунок 12 - Выходные ВАХ полевого транзистора
Вывод: В данной работе я изучила параметры и характеристики полевого транзистора. Рассмотрела принцип действия транзистора с индуцированным и n-каналом. А также построила входную и выходные ВАХ полевого транзистора.
Лабораторная работа № 5
ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ ВКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы: изучение схем включения и режимов работы полевого транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Полевой транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 13 – Схемы включения полевого транзистора с n-каналом: с общим истоком; с общим стоком; с общим затвором
Таблица 8– Исследование схем включения полевого транзисторас n-каналом
| Схема включения | с ОИ | с ОС | с ОЗ |
| Uвх, В | 1 | 1 | 1 |
| Uвых, В | 10 | 11 | 12 |
| Iвх, мА | 0,21 | 0,24 | 0,22 |
| Iвых, мА | 0,98 | 1,0 | 0,99 |
| s | |||
| rвых | |||
| rвх | |||
| RЗС |
|
|
|
Рисунок 14 – Схемы включения полевого транзистора с индуцированным каналом: с общим истоком; с общим стоком; с общим затвором
Таблица 9– Исследование схем включения полевого транзисторас n-каналом
| Схема включения | с ОИ | с ОС | с ОЗ |
| Uвх, В | 1 | 1 | 1 |
| Uвых, В | 10 | 11 | 12 |
| Iвх, мА | 0,21 | 0,24 | 0,22 |
| Iвых, мА | 0,98 | 1,0 | 0,99 |
| s | |||
| rвых | |||
| rвх | |||
| RЗС |
Рисунок 15– Передаточная характеристика (при R=100 Ом) полевого транзистора
Вывод: В данной работе изучила схемы включения и режимы работы полевого транзистора.
Для указанных схем включения определила следующие коэффициенты:
- коэффициент передачи по напряжению KU= ΔUСИ/ ΔUЗИ;
- крутизна s= ΔIС/ ΔUЗИ:
- дифференциальное (внутреннее) сопротивление rвых=ΔUСИ/ΔIС:
- дифференциальноесопротивлениеRЗС= ΔUЗС/ ΔIС.
Режим работы полевого транзистора в режиме покоя обеспечивается постоянным током стока IСП и соответствующим ему напряжением сток-исток UСИП. Этот режим обеспечивается напряжением смещения на затворе полевого транзистора Uзип. Это напряжение возникает на резисторе RИ при прохождении тока IСП (URИ = IСП RИ) и прикладывается к затвору благодаря гальванической связи через резистор R3. Резистор RИ, кроме обеспечения напряжения смещения затвора, используется также для температурной стабилизации режима работы усилителя по постоянному току, стабилизируя IСП. Чтобы на резисторе RИ не выделялась переменная составляющая напряжения, его шунтируют конденсатором Си и таким образом обеспечивают неизменность коэффициента усиления каскада. Сопротивление конденсатора Си на наименьшей частоте сигнала должно быть намного большим сопротивления резистора RИ.
|
|
|
Лабораторная работа № 6
Дата добавления: 2020-01-07; просмотров: 504; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!