Вольт-амперные характеристики(ВАХ) биполярных транзисторов
Таблица Б.1 - Параметры биполярных транзисторов
Тип транзистора | Структура транзистора | h21э min | h21э max | fгр, МГц | Uкэ max, В | Iк max, А | Pк max т, Вт |
ГТ404А | N-P-N | 30 | 80 | 0,83 | 25 | 0,5 | 4 |
ГТ404Б | N-P-N | 60 | 150 | 0,83 | 25 | 0,5 | 4 |
КТ502А | P-N-P | 40 | 120 | 5 | 25 | 0,15 | 0,35 |
КТ503А | N-P-N | ||||||
КТ604Б | N-P-N | 30 | 120 | 80 | 250 | 0,2 | 3 |
КТ805А | N-P-N | 15 | 50 | 20 | 160 | 5 | 30 |
ГТ806А | P-N-P | 10 | 100 | 6 | 75 | 15 | 30 |
КТ808А | N-P-N | 10 | 50 | 7 | 120 | 10 | 50 |
КТ814А | P-N-P | 40 | - | 3 | 25 | 1,5 | 10 |
КТ814Б | P-N-P | 40 | - | 3 | 80 | 1,5 | 10 |
КТ814В | P-N-P | 40 | - | 3 | 60 | 1,5 | 10 |
КТ815В | N-P-N | ||||||
КТ815Г | N-P-N | 40 | - | 3 | 80 | 1,5 | 10 |
КТ816А | P-N-P | 20 | - | 3 | 25 | 3 | 20 |
КТ817А | N-P-N | ||||||
КТ816Б | P-N-P | 20 | - | 3 | 40 | 3 | 20 |
КТ817Б | N-P-N | ||||||
КТ816Г | P-N-P | 15 | - | 3 | 80 | 3 | 20 |
КТ817Г | N-P-N | ||||||
КТ818А | P-N-P | 15 | - | 3 | 25 | 10 | 60 |
КТ819А | N-P-N | ||||||
КТ818Б | P-N-P | 20 | - | 3 | 40 | 10 | 60 |
КТ819Б | N-P-N |
ПРИЛОЖЕНИЕ В
(справочное)
Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
|
|
Таблица В.1 - Параметры полевых транзисторов
Параметр | КП103Л | КП103И | КП103К | КП103М | КП201Е,К,Л,М | КП302Б | КП302Б |
Pк max, мВт | 120 | 120 | 120 | 120 | 60 | 300 | 300 |
Uси max, В | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 20 | 20 |
Iс max, мА | 3…6,6 | 1…2,1 | 1,7…3,8 | 5,4…12 | 0,3…6 | 43 | 33 |
S, мА/В | 1,8…3,8 | 0,8…2,6 | 1,4…3,5 | 2…4,4 | 0,4…1,8 | 7 | 5 |
Таблица В. 2 – Ряды номинальных сопротивлений резисторов
1 | 10 | 11 | 12 | 13 | 15 | 16 | 18 | 20 | 22 | 24 | 27 | 30 | 33 | 36 | 39 | 43 | 47 | 51 | 56 | 62 | 68 | 75 | 82 |
2 | 10 | 12 | 15 | 18 | 22 | 27 | 33 | 39 | 47 | 56 | 68 | 82 |
Номиналы сопротивлений больше 100, получаются умножением этой шкалы на 10, 100, 1000 и т.д.
ПРИЛОЖЕНИЕ Г
(справочное)
Условное графическое обозначение элементов
Список использованных источников
1 Акимова Г. Н., Электронная техника, М, Маршрут, 2003.
2 Вайсбурд Ф. И., Панаев Г. А., Савельев Б. Н., Электронные приборы и усилители, М, Ком Книга, 2012.
|
|
3 Галкин В. И., Пелевин Е. В., Промышленная электроника и микроэлектроника, М., Высшая школа, 2006.
4 Гальперин М.В. Электронная техника, М. ИД «ФОРУМ» -- ИНФРА-М, 2013.
5 Горошков Б. И., Электронная техника, М, Академия, 2013.
6 Данилов И. А., Иванов П. М., Общая электротехника с основами электроники, М, Высшая школа, 2005.
7 Сиренький И. В., Рябинин В. В., Голощапов С. Н., Электронная техника, СПб, Питер, 2006.
Дата добавления: 2019-08-30; просмотров: 2647; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!