РАБОТА ПТ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ И В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ. ПРЕДЕЛЬНАЯ ЧАСТОТА. ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ.
Все ПТ по своим конструктивным особенностям можно разделить на две группы:
1) полевые транзисторы с управляющим р-п переходом (канальные, илиуниполярные транзисторы);
2) полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-илиМОП-транзисторы).
Малосигнальная модель МДП-транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема показана на рис. 5. Одновременно штриховыми линиями изображены элементы МДП-структуры, что наглядно поясняет связь параметров эквивалентной схемы с этими элементами.
Из четырех конденсаторов, показанных на рис. 5, только Сиз и Ссз непосредственно связаны с МДП-структурой.
Быстродействие, определяемое перезарядом этих конденсаторов, принципиально связано со временем пролета через канал. Емкости Сиз и Ссз зависят от напряжений. Если Uси мало, то обе емкости равны друг другу 
Когда МДП-транзистор входит в режим насыщения, принимают 
а Соз=0 Еще два конденсатора включены между подложкой и истоком (Сип) и подложкой и стоком (Ссп) и отображают барьерные емкости обедненных областей соответствующих обратновключенных р-n переходов.
ПАССИВНЫЕ ДИСКРЕТНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ. ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ.
Интегральная микросхема – это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных компонентов (транзисторов, резисторов и др.), изготовленных в едином технологическом цикле на общей подложке.
|
|
|
Наиболее распространенными пассивными элементами в полупроводниковых микросхемах являются резисторы. Слой полупроводника, изолированный от других элементов, может служить резистором интегральной микросхемы. Однако, ввиду низкого удельного сопротивления слоя полупроводника, резисторы занимают большую часть площади всей микросхемы.
В связи с этим микросхемы проектируют с минимальным числом резисторов, а величина их сопротивления должна быть небольшой, менее 10 кОм. Так, к примеру, цифровые интегральные микросхемы содержат меньше резисторов, чем аналоговые схемы. А цифровые микросхемы на полевых транзисторах практически не имеют резисторов, их функции выполняют дополнительные транзисторы, работающие на крутом восходящем участке вольт-амперной характеристики.
Основные типы микросхем – пленочные и полупроводниковые. В пленочных микросхемах элементы и соединения выполнены в виде различных пленок на подложке из диэлектрика. В полупроводниковых микросхемах пассивные и активные элементы вместе с изолирующими и проводящими областями создаются на одной подложке кремния или другого полупроводника. Применяются еще и так называемые гибридные микросхемы, в которых органически сочетаются в одном корпусе пленочные конструкции из пассивных элементов с дискретными миниатюрными активными компонентами.
|
|
|
К пассивным компонентам ИС относятся резисторы, конденсаторы, индуктивности и внутрисхемные соединения.
В ИМС применяются пленочные, диффузионные резисторы и резисторы на основе МДП-структур.
Сопротивление бруска из однородного проводящего кристаллического материала определяется выражением
, (7.1)
где r – удельное сопротивление резистивного материала, величина обратная удельной проводимости
, (7.2)
l, b, d – длина, ширина и толщина резистивной пленки.
Дата добавления: 2019-07-15; просмотров: 313; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!