СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ
Раздел 1. Электронные приборы
Тема 1.1. Физические основы полупроводниковых приборов
Собственная и примесная проводимость полупроводников. Физические основы образования и свойства p−n перехода. Емкость p−n перехода, пробой p−n перехода.
Вопросы для самостоятельной подготовки:
1. Объясните в чем заключается собственная и примесная проводимость полупроводников.
2. Дайте определение понятий емкости и пробоя р-п перехода.
Домашнее задание:
I. Подготовить доклад (презентацию) в рамках темы (на выбор):
1. Собственная проводимость полупроводников.
2. Примесная проводимость полупроводников.
3. Образование p−n перехода.
4. Физические процессы, проходящие в p−n переходе.
5. Свойства p−n перехода.
6. Вольтамперная характеристика p−n перехода.
7. Емкость p−n перехода.
8. Виды пробоев p−n перехода.
II. Подготовиться к лабораторному занятию №1 «Исследование работы диодов».
III. Решить задачу
Список литературы и интернет-ресурсов: с. 11-61 [3], [5], [6], [7], [8]
Тема 1.2. Полупроводниковые диоды
Конструкция полупроводниковых диодов. Основные характеристики и параметры полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, условные обозначения. Маркировка, применение.
Вопросы для самостоятельной подготовки:
1. Приведите классификацию полупроводниковых диодов.
2. Приведете основные характеристики и параметры полупроводниковых диодов.
|
|
|
3. Дайте основную маркировку полупроводниковых диодов.
Домашнее задание:
I. Подготовить доклад (презентацию) в рамках темы (на выбор):
1. Полупроводниковые диоды: выпрямительные, стабилитроны, туннельные, фотодиоды, светодиоды, варикапы, силовые, лавинные; условные обозначения.
2. Технология изготовления диодов, конструкция, выводы диода – анод и катод.
3. Применение полупроводниковых диодов, маркировка.
4. Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность.
II. Подготовиться к защите отчетов по лабораторному занятию №1 «Исследование работы диодов».
III. Подготовиться к лабораторному занятию №2 «Исследование работы тиристора».
IV. Решить задачу
Список литературы и интернет-ресурсов: с. 201-203 [1], с. 8-16 [2], с. 61-66 [3],с. 203-211 [1], с. 16-18 [2]
Тема 1.3. Тиристоры
Конструкция тиристоров. Принцип действия тиристоров, классификация, условные обозначения. Основные характеристики и параметры тиристоров, применение.
Вопросы для самостоятельной подготовки:
1. Опишите конструкцию тиристоров.
2. Приведите уловные обозначения тиристоров в принципиальных схемах.
|
|
|
3. Перечислите основные характеристики тиристоров.
Домашнее задание:
I. Подготовить доклад (презентацию) в рамках темы (на выбор):
1. Принцип действия тиристоров.
2. Динисторы, тринисторы, симисторы, силовые, лавинные, условные обозначения.
3. Технология изготовления тиристоров, конструкция, выводы тиристора – анод и катод, управляющий электрод.
4. Применение тиристоров.
5. Параметры тиристоров: напряжение, ток, мощность, маркировка.
II. Подготовиться к защите отчетов по лабораторному занятию №2 «Исследование работы тиристора».
III. Подготовиться к лабораторным занятиям №3 «Исследование работы транзисторов»
Список литературы и интернет-ресурсов: с. 223-225 [1], с. 19-23 [2]с. 225-226 [1],с. 23-25 [2]
Тема 1.4. Транзисторы
Принцип действия, классификация транзисторов, условные обозначения. Основные характеристики транзисторов. Основные параметры транзисторов. Схемы включения биполярных транзисторов. Режимы работы.
Вопросы для самостоятельной подготовки:
1. Приведете классификацию транзисторов.
2. Объясните основные отличия биполярных транзисторов от полевых.
3. Охарактеризуйте основное назначение схемы включения биполярного транзистора с общей базой.
|
|
|
Домашнее задание:
I. Подготовить доклад (презентацию) в рамках темы (на выбор):
1. Принцип действия транзистора, транзисторы p и n проводимости.
2. Классификация транзисторов, условные обозначения.
3. Основные характеристики биполярных транзисторов, применение, маркировка.
4. Основные параметры биполярных транзисторов, применение, маркировка.
5. Схема включения транзистора с общим эмиттером. Статический и нагрузочный режимы работы.
6. Схема включения транзистора с общей базой. Статический и нагрузочный режимы работы.
7. Схема включения транзистора с общим коллектором (эмиттерный повторитель). Статический и нагрузочный режимы работы.
8. Ключевой режим работы транзистора.
II. Подготовиться к защите отчетов по лабораторному занятию №3 «Исследование работы транзистора».
III. Решить задачу
Список литературы и интернет-ресурсов: с. 214-215 [1], с. 38-41 [2], с. 53-61 [2],с. 215-216 [1], с. 44-46 [2]с. 216-222 [1], с. 63-65 [2]с. 46-52 [2], с. 66-87 [3]
Дата добавления: 2018-11-24; просмотров: 204; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!