Биполярный транзистор статистический
Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора
Введение
Цель работы: первичное знакомство с пакетом Electronics Workbench, в процессе которого студентам следует научиться строить схемы на экране монитора, подключать измерительные приборы, изменять параметры элементов и запускать схему в работу.
Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора подразумевает снятие статических характеристик транзистора и вычисление с их помощью параметров транзистора. Эти характеристики и параметры потребуются в дальнейших лабораторных работах.
Результаты работы и их анализ
Нами был выбран полевой транзистор «2 N 3947»
Снимем входную 
и проходную 
статические характеристики выбранного биполярного транзистора. Для этого целесообразно использовать отдельные источники питания для коллектора и базы (еще удобнее для питания базовой цепи пользоваться источником тока - см. рис. 2.1)
Рис. 2.1 - Схема снятия статистических характеристик
Характеристики снимем при фиксированном напряжении на коллекторе 5 В. Целесообразные значения тока коллектора 0,5 
15 мА. С учетом этого выбираются значения тока источника в цепи базы.
Результаты измерений занесем в таблицу 2.1:
Таблица 2.1 - Статистические характеристики транзистора
| Iб, мкА | Iк, мА | Uб, мВ |
| 5 | 0,84 | 693 |
| 10 | 1,82 | 713 |
| 15 | 2,79 | 725 |
| 20 | 3,74 | 733 |
| 25 | 4,67 | 739 |
| 30 | 5,58 | 744 |
| 35 | 6,48 | 749 |
| 40 | 7,35 | 753 |
| 45 | 8,21 | 756 |
| 50 | 9,06 | 760 |
| 55 | 9,89 | 762 |
| 60 | 10,7 | 765 |
| 65 | 11,5 | 768 |
| 70 | 12,3 | 770 |
| 75 | 13,1 | 772 |
| 80 | 13,8 | 774 |
| 85 | 14,6 | 776 |
| 90 | 15,3 | 778 |
|
|
|
Построим характеристики 
и для дальнейшего использования.
Рис. 2.2 - Входная статическая характеристика
Рис. 2.3 - Проходная статическая характеристика
Выберем положение рабочей точки по входной характеристике и обеспечим ее в схеме питания фиксированным током базы:
Iб0 = 60 мкА; Iк0 = 10.7 мА; Uб0 = 0.765 мВ
Для того чтобы напряжение на коллекторе осталось примерно тем же, следует обеспечить соответствующее увеличение напряжения питания по формулам (2.1) и (2.2)
(2.1)
(2.2)
Рисунок 2.4 - Схема питания фиксированным током базы
Получим: E= 15.7 В; Uк0= 5 В; Rк = 1000 Ом; Ik0= 0.0107 А; Rб= 248.83 Ом
Перейдем к схеме коллекторной стабилизации (рис.8, б) и обеспечим тот же режим работы транзистора.
. (2.3)
Рисунок 2.5 - Схема коллекторной стабилизации
По формуле (2.3) получим: Iб0= 0,00006 А; Uб0= 0,765 В
|
|
|
Поставим в цепь эмиттера сопротивление (рисунок 2.6) и, задавшись током делителя, равным десятикратному току базы, обеспечим тот же самый режим работы в схеме эмиттерной стабилизации. При этом увеличим напряжение питания на величину, соответствующую падению напряжения на сопротивлении в цепи эмиттера 
В.
(2.4)
(2.5)
(2.6)
Рисунок 2.6 - Схема эмиттерной стабилизации
По формулам (2.4 - 2.6) получим: Uэ= 10.76 А; Rэ= 1000 Ом; Iк0= 10.7 мА; Iб0= 60 мкА; Iдел= 0.6 мА; Rб1 =19 кОм; Rб2 = 22.62 кОм;
Найдем дополнительные характеристики транзистора 2N3947 Zвх и S из формул (2.7) и (2.8).
(2.7)
(2.8)
биполярный транзистор статистический
Таблица 2.1 - Характеристики транзистора
| Iб0 мкА | Iк0 мА | Uб В | Zvx Ом | S |
| 13 | 2.24 | 0,01 | 769,2308 | 0,224 |
| 20.6 | 2.94 | 0,01 | 485,4369 | 0,294 |
| 22.9 | 3.46 | 0,01 | 436,6812 | 0,346 |
-
Дата добавления: 2021-04-24; просмотров: 66; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!